[实用新型]一种栅栏式离子电流整流器有效

专利信息
申请号: 201821995779.5 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN209423649U 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 邓鲁豫;彭堙寅;丁行行;吉祥;周腾;史留勇;张先满;梁栋 申请(专利权)人: 海南大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;B82B1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 570228 海南省*** 国省代码: 海南;46
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摘要:
搜索关键词: 纳米通道 离子电流 栅栏式 长锥 本实用新型 离子 整流器 直通道 离子选择性 导电性 工作全程 离子产生 外加电场 正反电压 锥形结构 纳流体 并列 施加 积累
【权利要求书】:

1.一种栅栏式离子电流整流器,包括第一离子直通道(1)、栅栏式纳米通道、第二离子直通道(10);所述的栅栏式纳米通道由第一矩形纳米通道(2)、第一锥形纳米通道(6)、第二矩形纳米通道(3)、第二锥形纳米通道(7)、第三矩形纳米通道(4)、第三锥形纳米通道(8)、第四矩形纳米通道(5)、第四锥形纳米通道(9)组成。

2.根据权利要求1所述的栅栏式离子电流整流器,其特征在于第一离子直通道(1)为长800nm,宽600nm的矩形,内部储存氯化钾溶液;其上端边界接有电极可提供所需电压,下端边界与栅栏式纳米通道相互连接。

3.根据权利要求1所述的栅栏式离子电流整流器,其特征在于所述的第一矩形纳米通道(2)、第二矩形纳米通道(3)、第三矩形纳米通道(4)及第四矩形纳米通道(5)均为高200nm,宽120nm的矩形;第二矩形纳米通道(3)上端为孔径120nm的纳米孔并与第一离子直通道(1)下端边界相互连接,第三矩形纳米通道(4)位于第二矩形纳米通道(3)右侧间隔20nm并且关于竖直中心轴对称;第一矩形纳米通道(2)位于第二矩形纳米通道(3)左侧间隔20nm,第四矩形纳米通道(5)与第一矩形纳米通道(2)关于竖直中心轴对称;其拐角处由半径为1nm的圆角连接。

4.根据权利要求1所述的栅栏式离子电流整流器,其特征在于所述的第一锥形纳米通道(6)、第二锥形纳米通道(7)、第三锥形纳米通道(8)及第四锥形纳米通道(9)均为高200nm的锥形;其上端为孔径120nm的纳米孔,与对应的矩形纳米通道相互连接且中点相互重合;下端为孔径6nm的纳米孔与第二离子直通道(10)相连接;其拐角处用半径为1nm的圆角平滑连接。

5.根据权利要求1所述的栅栏式离子电流整流器,其特征在于所述的第二离子直通道(10)为与第一离子直通道(1)尺寸相同的矩形;其内部储存氯化钾溶液;其上端边界与栅栏式纳米通道相互连接;下端边界电势为零。

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