[实用新型]Mbus主机发射电路有效
| 申请号： | 201821986495.X | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN208969835U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 宋正荣;裴健;马春亮 | 申请（专利权）人： | 苏州东剑智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G08C19/00 | 分类号： | G08C19/00 |
| 代理公司： | 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277 | 代理人： | 伍见 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 光电耦合器 主机发射电路 本实用新型 二极管 发射单元 负极串联电阻 通道控制单元 正极连接电源 低功耗待机 发光二极管 发射极接地 串联节点 一端连接 依次连接 栅极连接 单片机 高阻抗 集电极 控制端 三极管 总线 漏极 源极 | ||
1.一种Mbus主机发射电路，其特征在于：包括通道控制单元和发射单元；
所述控制单元包括光电耦合器一(GD1)、MOS管一(M1)、电阻一(R1)、电阻二(R2)和电阻三(R3)；光电耦合器一(GD1)内部发光二极管的正极连接电源端，其负极串联电阻一(R1)后连接单片机的控制端(CT)，光电耦合器一(GD1)内部三极管的发射极接地，其集电极依次连接电阻二(R2)和电阻三(R3)；MOS管一(M1)的栅极连接电阻二(R2)和电阻三(R3)的串联节点，其漏极连接Mbus总线，电阻三(R3)的另一端连接MOS管一(M1)的源极；
所述发射单元包括光电耦合器二(GD2)、MOS管二(M2)、二极管一(D1)、二极管二(D2)、电阻四(R4)、电阻五(R5)和电阻六(R6)；光电耦合器二(GD2)内部发光二极管的正极连接发射端(TX)、其负极串联电阻四(R4)后接地；光电耦合器二(GD2)内部三极管的发射极接地，其集电极依次连接电阻五(R5)和电阻六(R6)，电阻六(R6)的另一端连接第一电源；MOS管二(M2)的栅极连接电阻五(R5)和电阻六(R6)的串联节点，其源极连接第一电源，其漏极连接二极管一(D1)的正极，二极管一(D1)的负极MOS管一(M1)的源极；二极管二(D2)的正极连接第二电源，其负极连接MOS管一(M1)的源极。
2.如权利要求1所述的Mbus主机发射电路，其特征在于：其还包括过压保护单元，所述过压保护单元包括双向瞬态电压抑制器(TVS)，双向瞬态电压抑制器(TVS)的两端分别接地和连接Mbus总线。
3.如权利要求1所述的Mbus主机发射电路，其特征在于：其还包括过流保护单元，所述过流保护单元包括自恢复保险丝(FU)，自恢复保险丝(FU)的一端连接二极管一(D1)和二极管二(D2)的负极，其另一端连接MOS管一(M1)的源极。
4.如权利要求1所述的Mbus主机发射电路，其特征在于：所述MOS管一(M1)为P型MOS管。
5.如权利要求1所述的Mbus主机发射电路，其特征在于：所述MOS管二(M2)为P型MOS管。
6.如权利要求1所述的Mbus主机发射电路，其特征在于：所述第一电源为36V，所述第二电源为18V。
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