[实用新型]强电脱扣控制电路有效
| 申请号： | 201821983874.3 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209016684U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 寇英平 | 申请（专利权）人： | 晓能（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/00 | 分类号： | H02H3/00 |
| 代理公司： | 深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司 44375 | 代理人： | 黄昌平 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脱扣控制电路 报警电路 强电 本实用新型 单脉冲信号 光耦可控硅 场效应管 脱扣线圈 电连接 场效应管导通 扩展性 输出 报警信号 电流通过 断电保护 开启电压 电学 整流桥 脱扣 外接 | ||
1.强电脱扣控制电路，用于在报警电路发生报警信号时通过脱扣线圈实现脱扣动作，其特征在于，包括相互电连接的整流桥、脱扣线圈、场效应管；以及相互电连接的光耦可控硅和MCU控制芯片，所述MCU控制芯片接收报警信号后输出持续时间为t的单脉冲信号，所述光耦可控硅仅在接收到所述单脉冲信号时输出开启电压至所述场效应管，所述场效应管导通电流通过所述脱扣线圈。
2.如权利要求1所述的强电脱扣控制电路，其特征在于，包括高压电路和低压电路，所述脱扣线圈和所述场效应管串联于所述高压电路内，所述光耦可控硅由所述低压电路供电且通过所述场效应管控制所述高压电路的导通。
3.如权利要求2所述的强电脱扣控制电路，其特征在于，所述高压电路由220v供电，所述低压电路由3.3v供电。
4.如权利要求2所述的强电脱扣控制电路，其特征在于，还包括用于为所述光耦可控硅分压的多个分压电阻。
5.如权利要求1所述的强电脱扣控制电路，其特征在于，还包括用于接收到所述单脉冲信号后，打开所述光耦可控硅的开关三极管。
6.如权利要求1至5任一项所述的强电脱扣控制电路，其特征在于，t为10ms。
7.如权利要求1至5任一项所述的强电脱扣控制电路，其特征在于，t小于等于1000ms。
8.如权利要求1至5任一项所述的强电脱扣控制电路，其特征在于，所述MCU控制芯片具有至少8路ADC接口以及至少20路IO接口。
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