[实用新型]一种晶圆转载治具、晶圆转载装置及PECVD设备

说明书

本实用新型属于晶圆加工设备技术领域，提供了一种晶圆转载治具，包括治具本体，治具本体的顶面开设有若干晶圆放置槽，治具本体的底部开设有用以卡装于加热载台上的卡装槽，治具本体的周向边缘位置设有至少一对便于取放该治具本体的挂耳。一种晶圆转载装置，包括上述所述的晶圆转载治具，还包括用以挂装于挂耳上、与上述治具配合使用的挂钩。一种PECVD设备，包括下机台、加热载台和上腔盖，还包括上述所述的晶圆转载装置，对晶圆加工时，治具本体通过卡装槽卡装于加热载台的顶部。本实用新型使得对晶圆的加工效率大大提高，大幅提升了PECVD设备的产能，且相较在高温加热载台上直接取放晶圆的操作，提高了工作人员的工作效率，操作安全性更有保障。

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工设备技术领域，尤其涉及一种晶圆转载治具、晶圆转载装置及PECVD设备。

背景技术

PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。在PECVD工艺中，由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。

目前，PECVD在8吋以下的量产型设备都是以半自动为主，8吋以上的PECVD是自动的设备。PECVD可以沉淀多种薄膜，8吋以下的PECVD设备主要用于LED产品等衬底的SiO2或SiNx薄膜的沉积，但目前的PECVD设备，其加热载台多固定安装于机台内，加热载台上开设有用以放置晶圆(wafer)的放置槽，对晶圆的薄膜沉淀加工工艺流程为：1)机台先经过破真空，打开机台上腔盖，将经过清洗的干净的晶圆单片放置到机台的载台上；2)盖上机台的上腔盖，机台进行抽真空，之后开始运行工艺，进行薄膜沉淀；3)设备工艺运行结束后，进行破真空，然后打开机台的上腔盖，单片式取出晶圆；4)最后关上机台的上腔盖，加工工艺结束。但采用上述设备结构及加工工艺对晶圆加工时，需要将待加工的晶圆一片片的放置到机台内的载台上，加工完成后，再一片片的从载台上取出，使得设备的运行效率大大降低，进而使得晶圆的加工效率大大降低，且操作繁琐、费时，此外，由于刚加工完晶圆的载台温度较高，若操作不当，易发生工作人员灼伤等意外事故。

因此，开发一种晶圆转载治具、晶圆转载装置及PECVD设备，不但具有迫切的研究价值，也具有良好的经济效益和工业应用潜力，这正是本实用新型得以完成的动力所在和基础。

实用新型内容

为了克服上述所指出的现有技术的缺陷，本发明人对此进行了深入研究，在付出了大量创造性劳动后，从而完成了本实用新型。

具体而言，本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种晶圆转载治具、晶圆转载装置及PECVD设备，以提高PECVD设备的运行效率，进而提高对晶圆薄膜沉淀的加工效率，且操作便捷，使用安全性好。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种晶圆转载治具，包括治具本体，所述治具本体的顶面开设有若干晶圆放置槽，所述治具本体的底部开设有一卡装槽，所述卡装槽与PECVD机台内的加热载台顶部相适配，所述治具本体的周向边缘位置设有至少一对便于取放该治具本体的挂耳。

作为一种改进的技术方案，所述治具本体的顶面还开设有若干便于取出晶圆的取片槽，所述取片槽与所述晶圆放置槽数量一致，且与所述晶圆放置槽对应设置。

作为一种改进的技术方案，所述晶圆放置槽和所述取片槽分别于所述治具本体的顶面上均匀排列设置，且所述取片槽与所述晶圆放置槽部分重合。

作为一种进一步改进的技术方案，所述取片槽的深度大于所述晶圆放置槽的深度。