[实用新型]基于NB-IOT低功耗物联网产品电池的保护电路

说明书

本实用新型涉及电池过放电保护技术领域，具体涉及一种基于NB‑IOT低功耗物联网产品电池的保护电路，包括保护芯片S‑8261、供电电源BAT和工作电压VDD，保护芯片S‑8261包括六个引脚，六个引脚分别为DO引脚、VM引脚、CO引脚、DP引脚、VDD引脚和VSS引脚，DO引脚与FET管G极连接，FET管S极与电阻R2的一端连接，FET管D极分别与GND接地端和电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端分别与VM引脚和按键开关SW1的一端连接，本实用新型针对一次性锂亚硫酰氯电池、锂锰电池的过放电及过电流的保护应用，能够有效的控制NB‑IOT低功耗产品的安全性及稳定性，为国家推进物联网产品的进程提供了一个安全保护的手段，也为终端用户避免了巨大的隐患。

技术领域

本实用新型涉及电池过放电保护技术领域，具体涉及一种基于 NB-IOT低功耗物联网产品电池的保护电路。

背景技术

基于NB-IOT的低功耗物联网方案，这两年时间，国家正在紧锣密鼓的推进，各种产品如雨后春笋般冒出来，总体上产品的数量会达到非常高的数量级。而锂亚硫酰氯电池、锂锰电池，这些一次性电池作为其中最广泛的供电源，它的安全性，重要性可想而知。但是目前基本上所有的一次性电池本身都没有过放电电压限制保护，所以这块工作就需要由产品设计方来做，也必须要做。本设计主要以单节电池用保护芯片S-8261AAJMD-G2JT2与POWERMOSFET WNM2016相接合的方式来完成对一次性电池的过放保护。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种基于NB-IOT低功耗物联网产品电池的保护电路，主要以单节电池用保护芯片S- 8261AAJMD-G2JT2与POWER MOSFET WNM2016相接合的方式来完成对一次性电池的过放保护。

具体技术方案如下：

一种基于NB-IOT低功耗物联网产品电池的保护电路，包括保护芯片S-8261、供电电源BAT和工作电压VDD，所述保护芯片S- 8261包括六个引脚，六个引脚分别为DO引脚、VM引脚、CO引脚、 DP引脚、VDD引脚和VSS引脚，所述DO引脚与FET管G极连接，所述FET管S极与电阻R2的一端连接，所述FET管D极分别与GND接地端和电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与VM引脚和按键开关SW1的一端连接，所述按键开关SW1的另一端分别与VSS引脚、电阻R2的另一端、电容C1的一端以及供电电源BAT负极连接，所述电容C1的另一端分别与VDD引脚和电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端分别与工作电压VDD和供电电源BAT正极连接；

优选的，所述保护芯片S-8261采用S-8261AAJMD-G2JT2芯片；

优选的，所述FET管采用WNM2016型N沟道增强型场效应晶体管；

优选的，所述DP引脚为测定延迟时间的测试端子，其设定为开路；

优选的，所述电阻R1选用300Ω-1KΩ电阻，所述R2选用0.1Ω电阻，所述R3选用300Ω-4KΩ电阻，所述电容C1选用0.022μF-1.0 μF。

有益效果：

本实用新型针对一次性锂亚硫酰氯电池、锂锰电池的过放电及过电流的保护应用，能够有效的控制NB-IOT低功耗产品的安全性及稳定性，为国家推进物联网产品的进程提供了一个安全保护的手段，也为终端用户避免了巨大的隐患。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1：基于NB-IOT低功耗物联网产品电池的保护电路保护电路图；