[实用新型]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201821952246.9 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN208923138U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 马永达;郝学光;吴新银;乔勇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;曹娜 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 基板本体 显示装置 信号线 本实用新型 显示区边缘 子像素单元 端子连接 方向垂直 方向间隔 间隔距离 难度增加 引线连接 不良率 位置处 线形成 引出线 刻蚀 | ||
本实用新型提供一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括基板本体,还包括:位于基板本体上的多个第一信号线,多个第一信号线沿第一方向间隔设置;沿与第一方向垂直的第二方向,相邻的两个第一信号线之间形成有第一间隔部分和第二间隔部分;第一间隔部分内设置有子像素单元,在所述基板本体的显示区边缘位置处,第一信号线形成第二间隔部分的线路与端子连接引线连接;每相邻两个第一信号线的第二间隔部分的宽度相同,至少一组相邻的两个第一信号线中,沿第一方向,第一间隔部分的宽度与第二间隔部分的宽度不同。该阵列基板能够解决现有技术阵列基板上信号线之间的间隔距离不同时,信号线的引出线的密度过大,造成刻蚀难度增加,不良率提高的问题。
技术领域
本实用新型涉及显示器技术领域,尤其是指一种阵列基板及显示装置。
背景技术
现有显示面板中,像素出光面通过遮光层限制像素的出光面积,造成开口率降低。如果保证开口率的同时兼顾不同的子像素出光面积,现有技术需要设置不同间距的纵向信号线。
如图1所示,在阵列基板的基板本体1上制作有交叉设置的信号线,其中多个第一信号线2分别呈水平排列,多个第二信号线3分别呈竖直排列,多个第一信号线2和多个第二信号线3相交叉所构成的矩形区域,形成为子像素的透光区域。通常第一信号线2为栅线,第二信号线3为数据线或VDD电源线。
根据图1,当多个第二信号线3之间的间隔距离不同时,子像素的透光区域的面积不同。而由于多个第二信号线3的间隔距离不同,第二信号线3在与引出线4连接的引出端处,间隔距离不同,使得连接第二信号线3与连接端子5的引出线4之间存在走线密度过大的情况,从而增加阵列基板制作时的刻蚀难度,造成不良率提高。
实用新型内容
本实用新型技术方案的目的是提供一种阵列基板及显示装置,用于解决现有技术阵列基板上信号线之间的间隔距离不同时,信号线的引出线的密度过大,造成刻蚀难度增加,不良率提高的问题。
本实用新型提供一种阵列基板,包括基板本体,其中,还包括:
位于所述基板本体上的多个第一信号线,多个所述第一信号线沿第一方向间隔设置;沿与所述第一方向垂直的第二方向,相邻的两个所述第一信号线之间形成有第一间隔部分和第二间隔部分;所述第一间隔部分内设置有子像素单元,在所述基板本体的显示区边缘位置处,所述第一信号线形成所述第二间隔部分的线路与端子连接引线连接;
其中,每相邻两个所述第一信号线的所述第二间隔部分的宽度相同,而至少一组相邻的两个所述第一信号线中,沿所述第一方向,所述第一间隔部分的宽度与所述第二间隔部分的宽度不同。
可选地,所述的阵列基板,其中,相邻的两个所述第一信号线中,沿所述第一方向,所述第一间隔部分的宽度与所述第二间隔部分的宽度不同时,两个所述第一信号线中的设定第一信号线包括至少两段分别沿所述第二方向延伸、位于不同直线的线路,其中的两个线路分别为所述设定第一信号线形成所述第一间隔部分的线路和形成所述第二间隔部分的线路。
可选地,所述的阵列基板,其中,所述设定第一信号线为相邻两个所述第一信号线的其中一第一信号线,另一所述第一信号线为沿所述第二方向延伸呈一直线的线路。
可选地,所述的阵列基板,其中,相邻两个所述第一信号线中的每一所述第一信号线均形成为所述设定第一信号线。
可选地,所述的阵列基板,其中,沿所述第一方向,所述设定第一信号线形成所述第一间隔部分的线路的宽度大于形成所述第二间隔部分的线路的宽度。
可选地,所述的阵列基板,其中,所述设定第一信号线的两侧分别设置有第一子像素单元和第二子像素单元,其中所述第一子像素单元的面积小于所述第二子像素单元,则所述设定第一信号线形成所述第一间隔部分的线路相较于形成所述第二间隔部分的线路,朝所述第一子像素单元的设置方向凸出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的