[实用新型]一种变频器驱动回路的保护电路

权利要求书

1.一种变频器驱动回路的保护电路，其包括上桥驱动电路，其特征在于：其还包括下桥驱动电路，所述下桥驱动电路包括高速光耦器DC4，所述高速光耦器DC4的3管脚连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端为输入端口LU，所述高速光耦器DC4的6、7管脚连接电阻R48的一端，所述电阻R48的另一端连接IGBT功率管Q2的门极连接，所述高速光耦器DC4的5管脚分别连接稳压二极管ZD2的阳极、微调电容C5、C86的负极、电容C87、C16的一端，所述稳压二极管ZD2的阴极分别连接所述IGBT功率管Q2的发射极、所述微调电容C5的正极、电阻R13的一端，所述高速光耦器DC4的8管脚分别连接所述电阻R13的另一端、微调电容C86的正极、电容C87、C16的另一端，所述IGBT功率管Q2的集电极分别连接所述上桥驱动电路、输出端口U。

2.根据权利要求1所述的一种变频器驱动回路的保护电路，其特征在于，所述上桥驱动电路的结构与所述下桥驱动电路的结构相同；所述上桥驱动电路包括高速光耦器DC1，所述高速光耦器DC1的3端口连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端为输入端口HU，所述高速光耦器DC1的6、7管脚连接电阻R45的一端，所述电阻R45的另一端连接IGBT功率管Q1的门极，所述高速光耦器DC1的5管脚分别连接稳压二极管ZD1的阳极、微调电容C2、C84的负极、电容C85、C10的一端，所述稳压二极管ZD1的阴极分别连接电阻R4的一端、所述微调电容C2的一端、所述IGBT功率管Q1的发射极、所述下桥驱动电路中的所述IGBT功率管Q2的集电极、输出端口U，所述高速光耦器DC1的8管脚分别连接所述电阻R4的另一端、微调电容C84的正极、电容C85、C10的另一端，所述IGBT功率管Q1的集电极连接主回路正极P+。

3.根据权利要求2所述的一种变频器驱动回路的保护电路，其特征在于，所述高速光耦DC1、DC4的型号均为A3120。

4.根据权利要求3所述的一种变频器驱动回路的保护电路，其特征在于，所述IGBT功率管Q1、Q2的型号均为H20R1202。