[实用新型]一种低杂讯降频器电路和低杂讯降频器有效

专利信息
申请号: 201821943899.0 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN208820762U 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 袁萍;洪加亮 申请(专利权)人: 深圳市平方兆赫科技有限公司
主分类号: H04B1/10 分类号: H04B1/10
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 廖苑滨
地址: 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 低杂讯降频器 电路 本实用新型 线路板 处理芯片 喇叭辐射 滤波模块 射频信号 装配结构 降频器 接收腔 装配腔 馈电 射频信号接收模块 供电电路模块 射频信号放大 中频信号输出 带通滤波器 发夹 齿状结构 时钟晶振 依次连接 输入端 转换 多阶 内壁 传输
【说明书】:

实用新型公开了一种低杂讯降频器电路,包括依次连接的射频信号接收模块、射频信号放大模块、射频信号滤波模块、PLL处理芯片、中频信号输出模块;所述PLL处理芯片的输入端还连接有时钟晶振模块,所述降频器电路还包括供电电路模块;所述射频信号滤波模块为多阶发夹式带通滤波器。本实用新型还公开一种低杂讯降频器,所述降频器包括转换馈电部分、传输部分、和喇叭辐射部分;所述喇叭辐射部分具有接收腔,所述接收腔的内壁上具有多个齿状结构;所述转换馈电部分上还设置有装配结构,所述装配结构包括装配腔以及位于装配腔内的线路板;所述线路板上设置有如上所述的低杂讯降频器电路。

技术领域

本实用新型涉及通讯用降频器领域,特别是涉及一种低杂讯降频器电路和低杂讯降频器。

背景技术

因市场客户的竞争力需求,以往以分离元件(DRO方案)设计低杂讯降频器的产品已无法满足生产成本竞争优势;且采用分离元件的产品稳定性受环境影响较大。随着卫星产品的广泛使用,低杂讯降频器设计在PLL(锁相环)集成处理芯片方案上的技术也越来越成熟,且产品市场认可度也在逐步提升;但因设计方案延用分离元件DRO(DRO方案)的设计匹配模式,产品在设计成本上面并未完全发挥出相应的优势;同时产品在性能延伸上面,存在一定的可调局限性。

实用新型内容

为了解决现有技术存在的上述问题,合理地利用现有集成处理芯片的特性,在不影响产品功能及特性参数的情况下,结合PLL处理芯片方案匹配设计出一款PCB集成度高,性能优良,且成本精减的低杂讯降频器电路以及低杂讯降频器。

本实用新型公开一种低杂讯降频器电路,包括依次连接的射频信号接收模块、射频信号放大模块、射频信号滤波模块、PLL处理芯片、中频信号输出模块;所述PLL处理芯片的输入端还连接有时钟晶振模块,所述降频器电路还包括供电电路模块;所述射频信号滤波模块为多阶发夹式带通滤波器。

本实用新型采用PLL集成处理芯片,多阶发夹式带通滤波器又称为发夹N型微带带通滤波器:由射频信号接收模块所接收到的射频信号由各匹配的多阶发夹式带通滤波器进行带通频率滤波处理,分别镜像抑制杂波处理后,输出所需要的射频波段。发夹N型微带带通滤波器占用面积大,滤波效果好;传统的双向平行滤波器占用面积小,滤波效果没有发夹N型微带带通滤波器好。

进一步的,所述射频信号接收模块包括水平极化天线和垂直极化天线;所述中频信号输出模块具有中频信号输出模块一和中频信号输出模块二。

进一步的,所述中频信号输出模块包括依次串联的第一电容、第一电阻、第二电容,所述第二电容连接中频信号输出模块的输出端;所述第一电阻、第二电容之间还连接有第三电容,所述第三电容的第二端接地。

进一步的,所述第一电容为5.6pF、第一电阻为10R、第二电容为10pF,所述第三电容为0.5pF。

进一步的,所述射频信号放大模块包括与水平极化天线连接的第一放大器和第二放大器;与垂直极化天线连接的第三放大器和第四放大器。

进一步的,所述射频信号滤波模块包括与第二放大器连接的第一发夹N型微带带通滤波器,以及与第四放大器连接的第二发夹N型微带带通滤波器。

进一步的,所述供电电路模块包括分别与中频信号输出模块一和中频信号输出模块二连接的第一稳压管和第二稳压管;所述供电电路模块还包括复式二合一单向导通电路,所述复式二合一单向导通电路的输入端分别连接第一稳压管和第二稳压管,所述复式二合一单向导通电路的输出端连接PLL处理芯片。

本实用新型还公开一种低杂讯降频器,所述降频器包括转换馈电部分、传输部分、和喇叭辐射部分;所述喇叭辐射部分具有接收腔,所述接收腔的内壁上具有多个齿状结构;所述转换馈电部分上还设置有装配结构,所述装配结构包括装配腔以及位于装配腔内的线路板;所述线路板上设置有上述任一所述的低杂讯降频器电路。

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