[实用新型]一种表面粗糙度测量装置有效

专利信息
申请号: 201821922495.3 申请日: 2018-11-21
公开(公告)号: CN208887611U 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 徐燕华;沈思情;张俊宝;陈猛 申请(专利权)人: 上海超硅半导体有限公司
主分类号: G01B21/30 分类号: G01B21/30
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 201617 上海市松*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 待测件 容置槽 测量 上表面 被测面 粗糙度 平齐 表面粗糙度测量装置 粗糙度仪 抵接 垫片 机械加工技术 本实用新型 垫片调整 容置空间 移位 内壁 磨损 测试 支撑 保证
【说明书】:

实用新型公开了一种表面粗糙度测量装置,其属于机械加工技术领域,包括测量平台、垫片和粗糙度仪,测量平台的上表面开设有容置槽,待测件位于容置槽内且待测件的至少一侧与容置槽的内壁抵接;垫片位于容置槽内且支撑于待测件的下方,待测件的被测面与测量平台的上表面平齐;粗糙度仪设置于测量平台上,粗糙度仪的工作面与测量平台的上表面平齐。通过容置槽为待测件提供容置空间,且能够对待测件定位,防止待测件移位;通过垫片调整待测件的位置,使得待测件的被测面与测量平台的上表面平齐,进而粗糙度仪的工作面能够与被测面抵接,降低粗糙度仪的磨损程度,提高测量结果的准确性,保证了测试的方便快捷、重复性高。

技术领域

本实用新型涉及机械加工技术领域,尤其涉及一种表面粗糙度测量装置。

背景技术

蓝宝石单晶材料具有硬度高、熔点高、透光性好、电绝缘性优异、化学性能稳定等特点,广泛用于半导体氮化镓(GaN)发光二极管(LED)的外延衬底材料。

在氮化镓发光二极管及其他光电子部件的制作过程中,需要在蓝宝石衬底上进行外延生长。氮化镓膜的无缺陷生长很大程度上依赖于蓝宝石晶片的表面加工质量,表面粗糙度差的蓝宝石衬底影响透光率、氮化镓膜的完美性和器件的性能,因此蓝宝石晶片表面粗糙度是一项需要严格把控的参数。

现有技术中在对蓝宝石晶片的表面粗糙度进行测量时,将蓝宝石晶片放置在桌面上,手持粗糙度仪对蓝宝石晶片的表面进行检测,但是桌面的平坦度不一,使得粗糙度仪的工作面与蓝宝石晶片的表面不易对位平齐,不仅造成粗糙度仪磨损,也影响测量结果的准确性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种表面粗糙度测量装置,以解决现有技术中存在的蓝宝石晶片的表面粗糙度测量不准确的技术问题。

如上构思,本实用新型所采用的技术方案是:

一种表面粗糙度测量装置,包括:

测量平台,所述测量平台的上表面开设有容置槽,待测件位于所述容置槽内且所述待测件的至少一侧与所述容置槽的内壁抵接;

垫片,位于所述容置槽内且支撑于所述待测件的下方,所述待测件的被测面与所述测量平台的上表面平齐;

粗糙度仪,设置于所述测量平台上,所述粗糙度仪的工作面与所述测量平台的上表面平齐。

其中,所述待测件的至少一个侧面为定位平面,所述容置槽的内壁具有与所述定位平面配合的定位壁面,所述定位平面与所述定位壁面抵接。

其中,所述待测件为蓝宝石晶片。

其中,所述容置槽的截面形状为长方形。

其中,所述测量平台的上表面、所述容置槽的底面、所述垫片的上表面和所述垫片的下表面均平行。

其中,所述容置槽为开放式槽口,所述容置槽包括相互垂直的底面和侧面。

其中,多个所述垫片于所述待测件的下方叠置。

其中,多个所述垫片的总厚度值与所述待测件的厚度值之和等于所述容置槽的深度值。

其中,所述粗糙度仪包括控制器、与所述控制器电连接的探头和探头传感器,所述探头的工作面与所述测量平台的上表面平齐。

其中,所述粗糙度仪还包括与所述控制器电连接的显示屏。

本实用新型的有益效果:

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