[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体衬底，所述衬底上设有沟槽隔离结构；

有源区，设置于所述沟槽隔离结构之间，包括源极区域、漏极区域，所述源极区域、所述漏极区域均包括所述第一导电类型的第一掺杂区域和第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域位于所述第一掺杂区域的上表层；

埋入式字线结构，所述埋入式字线结构设置于所述源极区域和所述漏极区域之间并贯穿所述第二掺杂区域。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区域的形成过程包括：

对所述第一掺杂区域注入第一剂量的半导体离子以形成非晶化区域；

对所述非晶化区域进行第二导电类型离子注入制程，并进行快速热退火工艺以及固相外延再结晶工艺；

其中，所述半导体离子包括硅离子或锗离子，所述半导体离子的注入剂量大于3e14cm^-2。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型离子注入制程包括磷离子注入和砷离子注入，所述磷离子注入的深度大于所述砷离子注入的深度，所述磷离子的注入剂量大于1e13cm^-2，所述砷离子的注入剂量为1e14cm^-2～5e14cm^-2。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底包括所述第二导电类型的深阱区以及位于所述沟槽隔离结构下方的所述第二导电类型的阱区，所述阱区位于所述第一掺杂区域的下方并连接所述沟槽隔离结构的底层与所述深阱区。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括设置于相邻所述埋入式字线结构之间的所述有源区上的位线接触结构，所述位线接触结构与所述有源区的接触区包括所述第二导电类型的掺杂离子。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂离子为砷，所述掺杂离子的掺杂剂量为1e15cm^-2～4e15cm^-2。