[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201821921901.4 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209045598U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓基 电子阻挡层 外延层 源层 氮化镓基发光二极管 本实用新型 外延结构 衬底 铝镓氮电子阻挡层 蓝宝石基板 碳化硅基板 依次设置 传统的 顶位置 硅基板 导带 电洞 价带 组份 局限 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括依次设置在衬底（10）上的n型氮化镓基外延层（20）、氮化镓基有源层（30）、p型氮化镓基外延层（50）；其特征在于：所述氮化镓基有源层（30）和p型氮化镓基外延层（50）之间设置有含硼氮化镓基电子阻挡层（40），所述含硼氮化镓基电子阻挡层（40）厚度为3nm～100nm,组份为BaAlbGa1-a-bN，其中0.03≦a≦0.3, 0≦b≦0.97，所述衬底（10）为碳化硅基板、硅基板、蓝宝石基板中的一种。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于：所述n型氮化镓基外延层（20）厚度为1um～10um,组份为InxAlyGa1-x-yN，其中0≦x≦0.2, 0≦y≦1。
3.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于：所述氮化镓基有源层（30）厚度为20nm～1um,组份为InzAlwGa1-z-wN，其中0≦z≦0.2, 0≦w≦1。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于：所述P型氮化镓基外延层（50）厚度为20nm～1um,组份为IncAldGa1-c-dN，其中0≦b≦0.2, 0≦d≦1。
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