[实用新型]一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件有效
申请号: | 201821903783.4 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN208819873U | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 李保;李玲 | 申请(专利权)人: | 上海旻跃半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201401 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 防护罩 可控硅静电防护器件 安装板 小岛 嵌入 硅本体 静电防护 卡接机构 本实用新型 防护罩顶部 活动连接 接线机构 内部芯片 推动机构 拆装 卡槽 卡块 壳体 集成电路 维护 | ||
本实用新型提供一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件,涉及集成电路静电防护技术领域。该栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件,包括安装板、防护罩、硅本体、两个卡槽、两个卡块、卡接机构、壳体和接线机构,所述防护罩顶部的左侧和右侧分别与安装板顶部的左侧和右侧活动连接,所述硅本体位于防护罩的内部。该栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件,通过设置了防护罩,对安装板内部的硅本体形成了保护,然后通过设置有卡接机构和推动机构,使得防护罩可以固定在安装板的顶部,从而对装置内部的形成了静电防护,从而延长了装置内部芯片的使用时间,同时还便于对防护罩进行拆装,从而便于对装置的内部进行维护。
技术领域
本实用新型涉及集成电路静电防护技术领域,具体为一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件。
背景技术
在集成电路领域,静电放电问题一直被视为一个相当严重的可靠性问题,据统计,由于ESD/EOS造成的芯片失效约占芯片总失效数的30%-50%,对于芯片而言,ESD现象具体表现为:外部环境或芯片内部积累的大量静电电荷瞬间通过引脚(PIN)进入或流出芯片内部,此瞬态大电流峰值可以达到数安培以上,足以造成PN结击穿、金属熔断、栅氧化层击穿等不可恢复性损伤,因此需要一种新型的装置,能够便于对装置的内部形成静电防护,同时该装置还需要能够便于进行拆装,从而便于对装置的内部进行维护。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种能够便于对装置的内部形成静电防护,同时该装置还需要能够便于进行拆装,从而便于对装置的内部进行维护的栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件。
(二)技术方案
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件,包括安装板、防护罩、硅本体、两个卡槽、两个卡块、卡接机构、壳体和接线机构,所述防护罩顶部的左侧和右侧分别与安装板顶部的左侧和右侧活动连接,所述硅本体位于防护罩的内部,且硅本体的底部与安装板的顶部固定连接,两个所述卡槽分别位于安装板顶部的左侧和右侧,两个所述卡块的顶部分别与防护罩底部的左侧和右侧固定连接,所述卡块的底部与卡槽的内部插接,所述卡接机构位于安装板顶部的右侧,所述壳体位于防护罩右侧的底部,所述接线机构位于防护罩左侧的底部。
优选的,所述卡接机构包括有活动板、活动杆、插块和挤压按钮,所述活动板的底部通过铰接件与安装板顶部的右侧活动连接,所述活动杆的表面与活动板的内部活动插接,所述插块的右侧与活动杆的左端固定连接,所述防护罩右侧的底部开设有插槽,所述插块的左侧与插槽的内部插接,所述挤压按钮的左侧与活动杆的右端固定连接,所述挤压按钮的左侧与活动板的右侧搭接。
优选的,所述壳体的内部包括有推动机构,所述推动机构包括有顶板、两个滑杆、弹性支撑杆、滑板、连接杆、滑轮、滑槽和卡环,所述顶板的顶部与壳体的内顶壁固定连接,两个所述滑杆的顶端与顶板底部的左侧和右侧固定连接,两个所述弹性支撑杆的顶端通过圆环分别与两个滑杆的顶端固定连接,所述弹性支撑杆的底端与滑板的顶部固定连接,所述滑板的内部分别与两个滑杆的表面滑动连接,所述连接杆的顶部与滑板的底部搭接。
优选的,所述滑轮的右侧通过支杆与连接杆左侧的顶部固定连接,所述滑槽位于壳体左侧的内壁,所述滑轮的左侧与滑槽的内部活动连接。
优选的,所述卡环的顶部与连接杆的底端固定连接,所述卡环的底部与活动杆的顶部搭接,且卡环的左侧与插块的右侧搭接。
优选的,所述连接杆右侧的顶部包括有拨杆和拨块,所述拨杆的左端与连接杆右侧的顶部固定连接,所述拨杆的右端贯穿壳体右侧的内壁并延伸到壳体的外侧,且拨杆的右端与壳体右侧的内壁活动连接,所述拨块的左侧与拨杆的右端固定连接。
优选的,所述接线机构包括有接口、接头和固定壳,所述接口位于防护罩左侧的底部,所述接头的右侧与接口的内部插接,所述固定壳的顶部通过铰接件与防护罩右侧的底部活动连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海旻跃半导体有限公司,未经上海旻跃半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821903783.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。