[实用新型]浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201821898014.X | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN208903993U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离结构 本实用新型 侧壁 侧壁保护层 隔离效果 衬底 蚀刻 底部连通 绝缘材料 热氧化层 热载流子 锥形结构 晶体管 漏电流 热氧化 减小 刻蚀 势垒 延伸 去除 填充 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有第一沟槽以及与所述第一沟槽底部连通的第二沟槽，所述第二沟槽的顶部宽度大于所述第一沟槽的底部宽度；
侧壁保护层，形成于所述第一沟槽的侧壁；以及
绝缘层，填充于所述第二沟槽及所述第一沟槽中。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第一沟槽的深度介于所述浅沟槽隔离结构的目标深度的1/2～4/5之间，其中，所述目标深度为所述第一沟槽与所述第二沟槽的深度总和。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第一沟槽的底部宽度与顶部宽度的宽度比不小于0.8:1。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第二沟槽的底部宽度与所述第一沟槽的顶部宽度之比不小于0.8:1。
5.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述侧壁保护层包括氮化硅及氮氧化硅中的一种或两种组成的复合层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821898014.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
