[实用新型]一种可调节流量的清洗装置有效
| 申请号： | 201821892406.5 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN209045497U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵振伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支管道 第一端 阀门 可调节流量 清洗装置 喷嘴 主管道 本实用新型 阀门设置 晶圆表面 晶圆产品 喷嘴形状 水压冲击 有效调节 大流量 清洗水 晶面 晶圆 良率 连通 主管 | ||
1.一种可调节流量的清洗装置，应用于晶圆清洗，包括主管道(1)、第一支管道(2)和第二支管道(3)，所述主管道(1)的第二端分别与所述第一支管道(2)的第一端和所述第二支管道(3)的第一端连通，所述主管道(1)上设置有第一阀门(4)，所述第一支管道(2)的第二端设置有第一喷嘴(5)，所述第二支管道(3)的第二端设置有第二喷嘴(6)，其特征在于，
所述第一支管道(2)还包括第二阀门(7)，所述第二阀门(7)设置在所述第一支管道(2)的第一端。
2.根据权利要求1所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第一支管道(2)还包括第一流量检测装置(8)，所述第一流量检测装置(8)设置在所述第二阀门(7)与所述第一喷嘴(5)之间。
3.根据权利要求1所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第二支管道(3)还包括第三阀门(11)，所述第三阀门(11)设置在所述第二支管道(3)的第一端。
4.根据权利要求3所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第二支管道(3)还包括第二流量检测装置(12)，所述第二流量检测装置(12)设置在所述第三阀门(11)和所述第二喷嘴(6)之间。
5.根据权利要求1所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴(5)包括复数个第一小喷嘴(9)，复数个第一小喷嘴(9)在所述第一喷嘴(5)上环形对称设置。
6.根据权利要求5所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴(5)包括六个所述第一小喷嘴(9)，六个所述第一小喷嘴(9)呈环形对称设置。
7.根据权利要求5所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴(5)包括七个所述第一小喷嘴(9)，其中，六个所述第一小喷嘴(9)呈环形对称设置，剩余的一个所述第一小喷嘴(9)设置在所述第一喷嘴(5)的中心。
8.根据权利要求1所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第二喷嘴(6)包括复数个第二小喷嘴(10)，复数个第二小喷嘴(10)在所述第二喷嘴(6)上环形对称设置。
9.根据权利要求8所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第二喷嘴(6)包括六个所述第二小喷嘴(10)，六个所述第二小喷嘴(10)呈环形对称设置。
10.根据权利要求8所述的可调节流量的清洗装置，其特征在于，所述第二喷嘴(6)包括七个所述第二小喷嘴(10)，其中，六个所述第二小喷嘴(10)呈环形对称设置，剩余的一个所述第二小喷嘴(10)设置在所述第二喷嘴(6)的中心。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
