[实用新型]制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置

权利要求书

1.制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，包括等离子气体、射频电源、真空泵、设有入口及出口的真空室及容纳于真空室内的气盒、电离栅格、导流槽及硅基体，气盒连通真空室的入口，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电离栅格固定于气盒的下方；气盒与电离栅格均为导电体，射频电源射频电极连接气盒，其地电极连接电离栅格；硅基体设于电离栅格的下方，竖直立于导流槽上方；导流槽设于真空室出口处，连通真空泵与真空室内。

2.如权利要求1所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述等离子气体为硅烷SiH₄，硅烷SiH₄在穿过射频电源施加的电场时被电离分解为由Si、SiH、SiH₂及SiH₃组成的非晶硅膜，沉积于硅基体表面。

3.如权利要求1所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述气盒和/或电离栅格采用导电金属制成。

4.如权利要求1所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述通孔之间的间距为13-17cm。

5.如权利要求1所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述导流槽上方设有若干呈蜂巢状布置的导流孔。

6.如权利要求1所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述硅基体是用NF₃等离子体进行表面钝化处理再采用氢离子轰击后的硅基体。

7.如权利要求1所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述硅基体的数目为数个，数个硅基体竖直排列于导流槽上方。

8.如权利要求1所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述射频电源为RF电源，RF电源在气盒与电离栅格之间施加高频交流变化电磁波，形成交变电场。

9.如权利要求2所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述等离子气体为低温等离子气体。

10.如权利要求2所述的制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，所述等离子气体为掺入了适量的氢化磷或氢化硼的硅烷SiH₄混合气体，所述硅烷SiH₄混合气体在穿过射频电源施加的电场时被电离分解为N型或P型非晶硅膜，沉积于硅基体表面。