[实用新型]晶体管及半导体器件有效
| 申请号： | 201821885734.2 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN209045564U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 漏区 源区 半导体器件 衬底 本实用新型 方向排列 栅极结构 漏电流 沟道 填充 能耗 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有源区及漏区；
若干凹槽，形成于所述衬底中，且若干所述凹槽位于所述源区与所述漏区之间并沿着所述源区至所述漏区的方向排列；
栅极结构，填充在所述凹槽中并延伸至所述衬底的表面上，以使填充在相邻所述凹槽中的栅极部相互连接。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，相邻两个所述凹槽之间的间隔尺寸均相等，且每个所述凹槽的深度均相等。
3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，相邻两个所述凹槽的底部之间的间隔尺寸介于15nm以内。
4.如权利要求1或2所述的晶体管，其特征在于，所述凹槽在深度方向上的截面呈矩形、梯形或U型中的一种或多种。
5.如权利要求1或2所述的晶体管，其特征在于，每个所述凹槽的底部呈弧形，以使所述源区及所述漏区之间的衬底的表面具有沿着所述源区至所述漏区的方向延伸的波浪形轮廓。
6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述衬底及所述栅极结构之间还形成有栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述凹槽的内壁并延伸覆盖所述衬底的表面。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的晶体管。
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