[实用新型]元件单元有效
| 申请号: | 201821870784.3 | 申请日: | 2018-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN209282184U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
| 发明(设计)人: | 詹富豪;林鑫利 | 申请(专利权)人: | 昱鑫制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板 连续曲面 功能层 纵面 凹陷部 第一表面 元件单元 侧壁 本实用新型 最小距离 交界 | ||
1.一种元件单元,其特征在于,包括:
基板;以及
至少一功能层,设置在所述基板的第一表面上,
其中所述基板与所述至少一功能层具有至少一切割侧,在所述至少一切割侧处,所述至少一功能层的侧壁包括至少一连续曲面、斜面或纵面,所述基板的侧壁包括至少一连续曲面、凹陷部终点以及纵面,在所述基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面、所述斜面或所述纵面之间有交界,且所述凹陷部终点位于所述基板的所述至少一连续曲面与所述基板的所述纵面之间,其中所述凹陷部终点与所述第一表面的最小距离小于所述基板的厚度的二分之一。
2.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述元件单元包括半导体元件或光学元件。
3.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述基板包括硅基板、氧化铝基板、氮化铝基板、蓝宝石基板、砷化镓基板、碳化硅基板、碳基板、印刷电路板、可挠式印刷电路板、陶瓷基板、环氧树脂模制化合物、表面黏着型元件或塑胶晶粒承载封装。
4.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述基板是经掺杂的基板。
5.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述至少一功能层包括光阻层、有机绝缘层、无机绝缘层或线路层。
6.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,在所述至少一切割侧处,所述基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面具有不同的弧度。
7.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述交界是连接于所述基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面之间。
8.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述第一表面被所述至少一功能层暴露出来的部分构成所述交界。
9.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述元件单元包括多个功能层重叠设置在所述第一表面上,且所述多个功能层的每一个包括所述至少一连续曲面、所述斜面或所述纵面。
10.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述至少一功能层包括半球状的导光元件,所述导光元件的直径小于所述元件单元的宽度,且位于所述元件单元的任一个角落的所述凹陷部终点的深度大于或等于位于所述元件单元的任一个侧边的所述凹陷部终点的深度。
11.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,所述至少一功能层包括半球状的导光元件,所述导光元件的直径大于所述元件单元的宽度,所述至少一功能层在所述至少一切割侧处包括斜面或纵面,且所述凹陷部终点的深度由所述至少一切割侧的中心往两侧增加。
12.根据权利要求1所述的元件单元,其特征在于,在所述至少一切割侧处,所述至少一功能层的顶面与所述至少一功能层的所述侧壁之间的转角包括倒角。
13.一种元件单元,其特征在于,包括:
至少一元件;以及
功能层,包覆所述至少一元件,且所述功能层包括至少一切割侧,在所述至少一切割侧处,所述功能层的侧壁包括至少一连续曲面、斜面或纵面。
14.根据权利要求13所述的元件单元,其特征在于,所述功能层包括光阻层、有机绝缘层、无机绝缘层、线路层或上述至少两层的组合。
15.根据权利要求13所述的元件单元,其特征在于,所述功能层包括半球状的导光元件,所述导光元件的直径大于所述元件单元的宽度,所述功能层在所述至少一切割侧处包括斜面或纵面。
16.根据权利要求13所述的元件单元,其特征在于,在所述至少一切割侧处,所述功能层的顶面与所述功能层的所述侧壁之间的转角包括倒角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





