[实用新型]电池用硅片风干槽有效
申请号: | 201821866827.0 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN210167328U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 李鑫;陈健生;许成德 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322118 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 硅片 风干 | ||
本实用新型公开了一种电池用硅片风干槽,设有槽体和开口于槽体内部的喷气嘴,所述槽体为封闭式;所述喷气嘴通过氮气输送管连接高压氮气气源。本实用新型的有益效果是:可以显著提升硅片表面的洁净度,大幅提高硅片的良品率,有效降低企业生产成本。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池片制造领域,具体是一种电池用硅片风干槽,主要应用在电池用硅片制备过程中的风干工序上。
背景技术
随着现代工业化的发展,石油、天然气等不可再生能源日益减少,新能源得到人们日益重视,而近几年太阳能在新能源中发展迅速,比例也是越来越大。传统电池生产线目前已无法大幅度提升效率,太阳能生产厂商将目光逐渐转移至关注太阳能电池成品率,太阳能电池的成品率是衡量一个光伏企业技术水平的重要标准。中国专利文献CN105374900A于2016年3月2日公开了“一种制备单晶硅表面钝化电池的方法”,它具体实施步骤如下:(1)经过清洗制绒后的单晶硅片,在管式扩散炉中采用改进扩散工艺进行扩散;(2)对单晶硅片进行制绒扩散后,在二次清洗槽中用HF去除扩散后的PSG;(3)在扩散炉中首先采用干氧氧化的方法在硅片表面生长一层薄的二氧化硅薄膜;然后在湿氧气氛下,进行湿氧氧化,同时适当通源沉积;最后再次干氧氧化;(4)钝化后的单晶硅片,在湿法刻蚀槽中刻蚀去除背面PN结;(5)运用PECVD在单晶硅片正面沉积氮化硅,并进行电极印刷与烧结。该发明的有益效果是:具有良好的致密性,并表现出很好的钝化作用,使单晶硅电池光电转换效率明显提升。链式制绒、刻蚀设备风干槽的作用是利用过滤加热后空气对硅片表面的水进行吹扫和风干,从而保证硅片流出机台是干燥和洁净的。如果吹至硅片表面上的风洁净度不够,吹出的风中有颗粒灰尘,会粘附在硅片表面,制绒后硅片经过扩散后表面会出现黑色的斑点,刻蚀后硅片经过镀膜后表面会出现白色的斑点。硅片表面有黑色和白色的斑点在经过后面的工序不会去除,从而制成成品电池后表面也会留有斑点,因而影响外观,造成成品电池不良外观比例上升。
在现有的技术中,制绒、刻蚀设备风干槽主要存在从风机中出来的风洁净度不够,吹出的风中有颗粒粉尘,粉尘会粘附硅片表面,无法保证制绒和刻蚀后硅片表面洁净度。扩散后出现黑点的比例为0.5%-0.8%,镀膜后出现白点的比例为0.6%-1.0%。扩散和镀膜出现的黑点和白点造成成品电池不良,导致企业生产成本上升。
发明内容
基于以上问题,本实用新型提供一种电池用硅片风干槽,使用该种电池用硅片风干槽进行风干,可以显著提升硅片表面的洁净度,大幅提高硅片的良品率,有效降低企业生产成本。
为了实现发明目的,本实用新型采用如下技术方案:一种电池用硅片风干槽,设有槽体和开口于槽体内部的喷气嘴,所述槽体为封闭式;所述喷气嘴通过氮气输送管连接高压氮气气源。
本方案设计的电池用硅片风干槽,除了包括槽体,以及在槽体内设置的喷气嘴,还设计有氮气输送管。氮气输送管将洁净的氮气输送至槽体内,对槽体内待吹干的硅片进行吹干。槽体是密封的,可以避免外界环境的灰尘落入已经被吹干净的硅片表面。例如槽体整体封闭,仅上下游的开口处设置风门,以气帘隔绝内外。
作为优选,还设有氮气加热装置,氮气加热装置位于氮气输送管上游、高压氮气气源下游。将氮气加热后进行吹干,可以有效提高吹干效率。一般的,以加温至45-55℃为宜。
作为优选,槽体为倾斜设置,下游端高于上游端;槽体内安装有滚轴式传送机构,滚轴式传送机构由若干滚轴间隙连接形成,每个滚轴轴向均平行,滚轴和动力设备连接;滚轴式传送机构倾斜设置,与槽体的倾斜角度一致。硅片被放置在滚轴上,可以受滚轴的推动向前运行。将槽体和槽体内的滚轴式传送机构设置为前端高后端低的倾斜方式,可以使硅片处于倾斜状态,附着在硅片上的液体会因重力自动由硅片较低的一侧边流走,这样可以减轻风干槽的吹干作业压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造