[实用新型]一种用于IGBT上的双面可扩展散热器有效

专利信息
申请号: 201821860888.6 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN209056483U 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 曹宇宁;缪爱军;王明仁 申请(专利权)人: 德威(苏州)新能源有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/473
代理公司: 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 代理人: 张汉钦
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 散热片 散热器 出水管 进水管 可扩展 贴合 钢板 本实用新型 弹簧钢板 阻流片 腔体 孔洞 两端设置 散热效果 相邻设置 变频器 穿过 合成 相通
【说明书】:

实用新型公开了一种用于IGBT上的双面可扩展散热器,包括进水管、第一散热片、阻流片、第二散热片、出水管、贴合钢板和弹簧钢板,第一散热片和第二散热片扣合成一腔体,第一散热片和第二散热片的两端设置有孔洞,进水管和出水管穿过第一散热片和第二散热片设置,且进水管和出水管与腔体相通设置,阻流片位于腔体的内部,贴合钢板位于用于IGBT上的双面可扩展散热器的一侧,弹簧钢板与贴合钢板相邻设置。通过上述方式,本实用新型能够实现对IGBT的快速和实时降温,确保变频器的有效正常运行,结构简单,容易获得,成本低,散热效果好。

技术领域

本实用新型涉及变频技术领域,特别是涉及一种用于IGBT上的双面可扩展散热器。

背景技术

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT在使用过程中发热量大,造成变频器高温,会影响变频器的使用。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种用于IGBT上的双面可扩展散热器,使用效果好。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种用于IGBT上的双面可扩展散热器,包括进水管、第一散热片、阻流片、第二散热片、出水管、贴合钢板和弹簧钢板,所述第一散热片和所述第二散热片扣合成一腔体,所述第一散热片和所述第二散热片的两端设置有孔洞,所述进水管和所述出水管穿过所述第一散热片和所述第二散热片设置,且所述进水管和所述出水管与所述腔体相通设置,所述阻流片位于所述腔体的内部,所述贴合钢板位于所述用于IGBT上的双面可扩展散热器的一侧,所述弹簧钢板与所述贴合钢板相邻设置。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述进水管的一端设置有进水口,所述出水管的一端设置有出水口。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述用于IGBT上的双面可扩展散热器还包括加强片,所述加强片位于所述腔体的内部。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述加强片的两端设置有孔洞,所述阻流片焊接在所述加强片上。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述加强片焊接在所述进水管和所述出水管上。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述阻流片为波浪型设置,所述阻流片为多个。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述第一散热片和所述第二散热片焊接在所述进水管和所述出水管上。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述第一散热片和所述第二散热片的材质为冲压铝件。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述用于IGBT上的双面可扩展散热器还包括氮化铝基板,所述氮化铝基板铺设于所述第一散热片和所述第二散热片的侧面上。

在本实用新型一个较佳实施例中,所述用于IGBT上的双面可扩展散热器还包括导热硅胶,所述导热硅胶填充于IGBT和所述氮化铝基板之间。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的用于IGBT上的双面可扩展散热器, 能够实现对IGBT的快速和实时降温,确保变频器的有效正常运行,结构简单,容易获得,成本低,散热效果好。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:

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