[实用新型]光电探测器、光电探测器阵列和光电探测终端

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，包括衬底和形成于该衬底之上的光学谐振腔：所述光学谐振腔包括：

光吸收层，具有相对的光线入射外表面和底部外部表面，以及位于所述光线入射表面与所述底部表面之间的外侧壁；

陷光结构层，覆盖于所述光线入射表面；以及

光反射结构层，覆盖于所述光吸收层的所述底部外表面和/或所述外侧壁上；

其中，所述光反射结构层用于反射透过所述陷光结构层射入所述光学谐振腔中的外部光线，以增加该外部光线在所述光吸收层中的传播光程。

2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底为具有光反射功能的衬底；和/或

所述陷光结构层具有凹凸结构，用于改变透过该陷光结构层射入所述光学谐振腔内的所述外部光线的传播方向。

3.如权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底为具有光反射功能的衬底时，所述衬底为金属衬底、具有分布式布拉格反射镜结构的衬底、具有SOI结构的衬底或HCG结构的衬底；和/或

所述陷光结构层具有凹凸结构时，所述凹凸结构为纳米级的结构，且所述凹凸结构呈阵列式分布于所述陷光结构层的表面。

4.如权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述陷光结构层具有凹凸结构时，所述凹凸结构的纵截面为锯齿形或方波形。

5.如权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述凹凸结构的纵截面为锯齿形时，该凹凸结构为四棱锥体；和/或

所述凹凸结构以四方密排或六方密排的方式分布于所述陷光结构层的表面。

6.如权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述凹凸结构包括凸起和凹槽；

其中，所述凹凸结构的纵截面为方波形时，所述凸起和/或所述凹槽的横截面形状为正多边形和圆形中的至少一种。

7.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光反射结构层覆盖于所述光吸收层的所述底部外表面上时，该光反射结构层包括：

底部反射层，覆盖在所述光吸收层的所述底部外表面，用于对射向所述底部外表面的光线进行反射，以与所述陷光结构层形成第一光学谐振结构；和/或

所述光反射结构层覆盖于所述光吸收层的外侧壁时，该光反射结构层包括：

侧壁反射墙，环绕所述光吸收层设置于所述衬底上，用于形成第二光学谐振结构；

其中，所述第二光线谐振结构用于对经所述陷光结构层改变方向，且射向所述侧壁反射墙进行来回反射。

8.如权利要求7所述的光电探测器，其特征在于，所述光反射结构层包括所述底部反射层时，所述底部反射层的材质为金属或介电材料；和/或

所述光反射结构层包括所述侧壁反射墙时，所述侧壁反射墙为填充深沟槽所形成的光反射隔离结构。

9.如权利要求8所述的光电探测器，其特征在于，所述底部反射层为所述介电材料时，该介电材料包括氧化硅和氮化硅；和/或

所述光反射结构层包括所述侧壁反射墙时，所述侧壁反射墙包括：

绝缘层，覆盖于所述深沟槽的底部及侧壁；以及

反射层，填充于所述深沟槽中；

其中，所述深沟槽延伸至所述衬底的上表面或内部。

10.如权利要求9所述的光电探测器，其特征在于，所述侧壁反射墙包括所述绝缘层和所述反射层时，所述绝缘层的材质包括氧化硅，以及

所述反射层的材质包括氧化硅、无定形硅、多晶硅或金属中的至少一种。

11.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，还包括：

电路层，临近所述陷光结构层设置于所述衬底之上，用于将所述光吸收层所吸收的光信号转换为电信号；以及

微透镜，用于将接收的外部光线汇聚至该陷光结构层的光入射外表面。