[实用新型]带一体式多层铜的陶瓷封装基板结构

说明书

本实用新型公开一种带一体式多层铜的陶瓷封装基板结构，包括有陶瓷基座，该陶瓷基座的至少一表面上成型有至少两铜层，分别为第一铜层和第二铜层，该第一铜层和第二铜层的图案形状以及尺寸不同，各铜层上下依次叠合成型固定在一起，且相邻两铜层沿Z轴方向的面局部或全部错开不重合而在相邻两铜层之间形成沿XY轴方向的台阶面。通过在陶瓷基座的至少一表面上成型有至少两铜层，并配合相邻两铜层沿Z轴方向的面局部或全部错开不重合而在相邻两铜层之间形成沿XY轴方向的台阶面，以便在陶瓷基座的表面上形成结构稳固的导电线路和/或围坝，有效提升产品的使用性能。

技术领域

本实用新型涉及封装基板领域技术，尤其是指一种带一体式多层铜的陶瓷封装基板结构。

背景技术

在集成电路、电力电子应用中，用于光电转换、功率变换的半导体功率器件已经广泛应用于诸如大功率发光二极管、激光器、电机控制、风力发电和UPS等各种领域。近年来，为应对电力电子系统对空间和重量的要求，功率半导体模块小型化已成为发展趋势。

在功率半导体模块封装过程中，为解决单一芯片功率小、集成度低和功能不够完善的问题，需要把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片通过串并联方式封装在一个模块内，从而实现多芯片的集成式封装。

多芯片集成式封装会导致流经模块的电流密度增加，芯片功耗也会增加，故而需要提高模块的导热性能。此外，随着工作电压的提高，也需要提高模块的绝缘性能，因此，需要选择低电阻率的布线导体材料，低介电常数、高导热率的绝缘材料作为封装载体，陶瓷模块刚好契合了这个发展要求。

在功率半导体封装中，陶瓷模块（或称陶瓷基座）是半导体芯片及其它微电子器件重要的承载基板，主要起形成密封腔室、机械支撑保护、电互连（绝缘）、导热散热、辅助出光等作用。现阶段应用于功率半导体封装的陶瓷模块有HTCC/LTCC及DBC陶瓷基板等。

目前的陶瓷模块上均具有导电线路和/或围坝，然而这些导电线路和/或围坝均通过粘结剂或焊接料等间接固定在陶瓷基板的表面，无法形成稳固的结构，影响产品的使用性能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种带一体式多层铜的陶瓷封装基板结构，其能有效解决现有之陶瓷模块结构不稳固、使用性能不佳的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种带一体式多层铜的陶瓷封装基板结构，包括有陶瓷基座，该陶瓷基座的至少一表面上成型有至少两铜层，分别为第一铜层和第二铜层，该第一铜层和第二铜层的图案形状以及尺寸不同，各铜层上下依次叠合成型固定在一起，且相邻两铜层沿Z轴方向的面局部或全部错开不重合而在相邻两铜层之间形成沿XY轴方向的台阶面。

作为一种优选方案，台阶面朝上或朝下。

作为一种优选方案，所述陶瓷基座的表面局部和铜层的表面局部喷涂覆盖形成有油墨层。

作为一种优选方案，所述铜层的表面局部镀金或镀银。

作为一种优选方案，所述铜层通过电镀形成。

作为一种优选方案，所述陶瓷基座的上下表面上均成型有至少两铜层，分别为上第一铜层、上第二铜层、下第一铜层和下第二铜层，该上第一铜层叠设在陶瓷基座的上表面，该上第二铜层叠设在上第一铜层上，该下第一铜层叠设在陶瓷基座的下表面，该下第二铜层叠设在下第一铜层上。

作为一种优选方案，所述陶瓷基座的上下表面贯穿形成有垂直导通孔，该垂直导通孔导通连接于上第一铜层和下第一铜层之间。

作为一种优选方案，所述垂直导通孔采用外部金属填充或者电镀铜填充。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：