[实用新型]清洁装置及半导体设备有效

专利信息
申请号: 201821849523.3 申请日: 2018-11-09
公开(公告)号: CN209156635U 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 李生骄;董佳仁 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: B08B9/047 分类号: B08B9/047;H01L21/67
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 230601 安徽省合肥市合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 支路 排气管路 清洁装置 半导体设备 制程腔室 排气口 本实用新型 清洁作业 毛刷 设备产出率 减少设备 溶剂颗粒 相邻设置 伸缩杆 伸缩 良率 停机 残留 移动 生产
【说明书】:

实用新型提供一种清洁装置及半导体设备。半导体设备包括制程腔室、支路排气管路及清洁装置;制程腔室上设置有排气口;支路排气管路一端与制程腔室的排气口相连通;清洁装置用于对支路排气管路进行清洁作业,清洁装置与支路排气管路远离排气口的一端相邻设置,其中,毛刷朝向支路排气管路,通过伸缩杆的伸缩带动毛刷在支路排气管路内移动以对支路排气管路的不同位置进行清洁作业。本实用新型的清洁装置和半导体设备可以有效避免支路排气管路上的溶剂颗粒残留,可以减少设备停机时间,有助于生产良率和设备产出率的提高。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域,特别是涉及一种清洁装置及半导体设备。

背景技术

光刻工艺是集成电路芯片制造过程中非常重要的一道工艺,它是利用光学-化学反应原理和化学物理方法,将电路图形传递到衬底表面以形成有效图形窗口或功能图形的过程,一般要经历衬底表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。软烘是在喷涂光刻胶后对衬底进行烘烤,以除去光刻胶中残余的溶剂,提高光刻胶的粘附性和均匀性;硬烘则是在显影后烘烤以蒸发掉剩余的溶剂使光刻胶变硬,提高光刻胶对硅片表面的粘附性,由此可见烘烤工序对提高光刻胶的性能以确保后续的刻蚀图形品质非常重要。但是在烘烤期间,光阻会产生大量溶剂颗粒附着在制程腔室内,极易掉落在衬底表面,产生颗粒污染。这些颗粒污染在刻蚀后会导致出现图形异常,导致良率下降。而导致光阻溶剂颗粒在制程腔室上大量累积的根本原因是抽气量变小。当设备使用一定时间后,排气管道由于挥发性颗粒的附着导致排气管路的堵塞,使抽气量变小、抽气功耗增大,同时抽气量的减少将会导致制程腔室里的颗粒浓度增大,容易造成产品的缺陷。在光刻胶涂布工序及抗反射涂层涂布等工序中同样存在此类问题。现有技术中都是通过对设备停机以定期对排气管路进行清洗,但这会导致设备产出率下降、生产成本上升。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种清洁装置及半导体设备,用于解决现有技术中在光刻工艺中,尤其是因晶圆烘烤过程中产生的溶剂颗粒附着于排气管路上导致排气管路的排气量变小、排气功耗增加,继而引发制程腔室内的颗粒污染等问题,以及因停机清洗造成设备产出率下降、生产成本上升等问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种清洁装置,包括毛刷、马达及伸缩杆;所述马达一端与所述毛刷相连接,用于驱动所述毛刷移动;所述伸缩杆与所述马达的另一端相连接。

可选地,所述毛刷包括刷柱和刷头,所述刷柱与所述马达相连接,所述刷头与所述刷柱相连接且沿所述刷柱呈螺旋状分布,所述刷头的螺旋间距为L,其中,1mm≤L≤20mm。

本实用新型还提供一种半导体设备,包括制程腔室、支路排气管路及前述任一方案中所述的清洁装置;所述制程腔室上设置有排气口;所述支路排气管路一端与所述制程腔室的排气口相连通;所述清洁装置用于对所述支路排气管路进行清洁作业,所述清洁装置与所述支路排气管路远离所述排气口的一端相邻设置,其中,所述毛刷朝向所述支路排气管路,通过所述伸缩杆的伸缩带动所述毛刷在所述支路排气管路内移动以对所述支路排气管路的不同位置进行清洁作业。

可选地,所述支路排气管路的横截面为矩形,矩形的长度为X,宽度为Y,其中,10mm≤X≤150mm,10mm≤Y≤150mm。

可选地,所述支路排气管路的长度为Z,所述清洁装置的伸缩杆的伸缩范围为I,其中,0≤I≤Z。

可选地,所述半导体设备还包括收纳盒,所述收纳盒与所述支路排气管路远离所述排气口的一端相连接,用于在所述清洁装置不工作时收纳所述清洁装置。

可选地,所述收纳盒还包括盒盖,所述盒盖设置于所述收纳盒与所述支路排气管路相邻的面上,所述盒盖包括滑开式盒盖。

可选地,所述制程腔室、所述支路排气管路和所述清洁装置均包括多个,所述支路排气管路和所述清洁装置一一对应设置。

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