[实用新型]机械手臂及传送装置有效
| 申请号: | 201821849450.8 | 申请日: | 2018-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN208848875U | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
| 发明(设计)人: | 薛征;李磊;周雨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 机械手臂 清洗干燥 机械手臂本体 真空吸盘 传送装置 本实用新型 真空吸附口 真空管路 上表面 晶圆 含量测量结果 清洁度 金属杂质 晶圆表面 使用寿命 减小 良率 污染 清洗 | ||
本实用新型提供一种机械手臂及传送装置。机械手臂包括机械手臂本体和多个真空吸盘,其中,机械手臂本体内设置有多条真空管路及多条清洗干燥管路;多个真空吸盘位于机械手臂本体上,其上表面高于机械手臂本体的上表面,真空吸盘内设有真空吸附口及清洗干燥口,真空吸附口与真空管路相连通,清洗干燥口与清洗干燥管路相连通。本实用新型可以极大减小机械手臂和晶圆的接触面积,同时可通过清洗干燥管路对真空吸盘清洗以提高其清洁度,避免因机械手臂被污染继而对晶圆造成污染,确保对晶圆表面的金属杂质含量测量结果的准确性,有助于工艺良率的改善,且机械手臂及传送装置的使用寿命可有效延长,有助于降低生产成本。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,特别是涉及一种机械手臂及传送装置。
背景技术
化学气相分解方法(Vapor Phase Decomposition,简称VPD)在半导体制造厂内广泛使用,其主要用于进行晶圆表面金属杂质含量的前处理,以便于金属杂质含量的测量。因而为保证测量结果的准确性,化学气相分解过程中所用到的各种设备仪器均需保持高度清洁。在化学气相分解作业的准备工作中,待检测的晶圆通常是通过机械手臂传送到化学气相分解室内的,故机械手臂极有可能接触被污染的晶圆,并将金属污染传递给下一片晶圆。现有的机械手臂通常是表面平齐的,传送过程中晶圆与机械手臂的接触面积很大,因而一旦晶圆被污染,则机械手臂表面被污染的概率也急剧增加,使得机械手臂在传送下一片晶圆时造成污染的风险增加。此外,现有的机械手臂耐腐蚀性能较差,而一旦机械手臂被腐蚀,不仅可能造成晶圆的污染,而且可能导致晶圆在传送过程中发生错位甚至掉落。这些问题都会对金属杂质的测量造成严重干扰,而不准确的测量结果将给后续工艺操作带来诸多隐患。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种机械手臂及传送装置,用于解决现有技术中的机械手臂和晶圆接触的面积过大,导致机械手臂被晶圆污染的可能性增大并且将污染传递至后续晶圆,以及现有的机械手臂容易被腐蚀,导致晶圆传送过程中出现错位和引入新污染,对金属杂质的测量造成严重干扰乃至给后续工艺操作带来诸多隐患等问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种机械手臂,所述机械手臂包括机械手臂本体和多个真空吸盘,其中,所述机械手臂本体内设置有多条真空管路及多条清洗干燥管路;多个所述真空吸盘位于所述机械手臂本体上,所述真空吸盘的上表面高于所述机械手臂本体的上表面;所述真空吸盘内设有真空吸附口及清洗干燥口,所述真空吸附口与所述真空管路相连通,所述清洗干燥口与所述清洗干燥管路相连通。
可选地,所述清洗干燥口包括贯穿所述真空吸盘的上下表面的环形通孔,所述环形通孔环绕所述真空吸附口且与所述真空吸附口具有间隔。
可选地,所述真空吸附口位于所述真空吸盘的中心;所述清洗干燥口为多个,多个所述清洗干燥口沿所述真空吸附口的周向间隔排布,且与所述真空吸附口具有间隔。
可选地,所述真空管路、所述真空吸盘和所述清洗干燥管路的数量各包括3个。
可选地,所述机械手臂本体表面覆盖有防腐蚀层。
可选地,所述机械手臂本体包括第一本体部分和与所述第一本体部分相连接的两个叉臂,两个所述叉臂自所述第一本体部分向外延伸且两个所述叉臂之间呈半圆环形,其中,两个所述叉臂上均设有至少一个所述真空吸盘。
可选地,多个所述真空吸盘的上表面积之和小于所述机械手臂本体的上表面积。
可选地,所述真空吸盘和所述机械手臂本体可拆卸连接。
更可选地,所述真空吸盘包括上下一体连接的第一部分及第二部分,所述第一部分的纵截面形状为矩形,所述第二部分的横截面形状为倒梯形;多个所述真空吸附口及多个所述清洗干燥口上下贯通所述第一部分及所述第二部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





