[实用新型]利用CVD方法生长石墨烯薄膜的载具

说明书

本实用新型提供了一种利用CVD方法生长石墨烯薄膜的载具，用于放置在CVD设备的石英管内。载具包括底座、矩形底板以及多个矩形托板。矩形底板水平地设置在底座上方，且固定连接于底座；多个矩形托板用于承载石墨烯生长衬底，每一矩形托板上表面的四周设置有多个支撑体，石墨烯生长衬底容纳于多个支撑体围成的空间，多个矩形托板可层叠地放置在矩形底板上，相邻两个矩形托板之间用支撑体隔开。

技术领域

本实用新型总体来说涉及石墨烯制备领域，具体而言，涉及一种利用CVD方法生长石墨烯薄膜的载具。

背景技术

石墨烯是一种碳原子构成的单原子层的二维原子晶体材料，具有优异的电子学和光电子学性质，因此引起了学界和产业界的广泛重视。从材料制备角度考虑，化学气相沉积法(hemical Vapor Deposition简称CVD)是制备高质量石墨烯薄膜的首选方法。具体方法为，将生长衬底置于高温腔室中，并通入碳源和还原性气体，碳源分子裂解成碳碎片用于石墨烯的形核、生长并拼接成膜。

在批量化制备石墨烯薄膜的过程中，载具的设计严重影响着所制备的石墨烯产量与质量。虽然现有技术中已有一些关于石墨烯生长的载具，但是其在实际应用中仍存在着诸如生长衬底黏连、空间利用率低等问题。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种利用CVD方法生长石墨烯薄膜的载具，解决现有技术中存在的生长衬底黏连、空间利用率低等问题。

为实现上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案：

根据本实用新型的一个方面，提供了一种利用CVD方法生长石墨烯薄膜的载具，用于放置在CVD设备的石英管内，其包括底座、矩形底板以及多个矩形托板。矩形底板水平地设置在所述底座上方，且固定连接于所述底座；多个矩形托板用于承载石墨烯生长衬底，每一所述矩形托板上表面的四周设置有多个支撑体，所述石墨烯生长衬底容纳于多个所述支撑体围成的空间，多个所述矩形托板可层叠地放置在所述矩形底板上，相邻两个所述矩形托板之间用所述支撑体隔开。

根据本实用新型的一实施方式，所述载具还包括垂直设置的四根限位柱，四根所述限位柱分别连接于所述矩形底板的四个角；每一所述矩形托板的四个角开设有四个缺口，当多个所述矩形托板放置在所述矩形底板上时，四根所述限位柱容纳于四个所述缺口。

根据本实用新型的一实施方式，四根所述限位柱的截面呈圆形或矩形。

根据本实用新型的一实施方式，四根所述限位柱可拆卸地连接于所述矩形底板。

根据本实用新型的一实施方式，每一所述矩形托板上相对两个边上的所述支撑体对称设置，且每个边上的多个所述支撑体等间距设置。

根据本实用新型的一实施方式，所述底座下端部的弧度与所述石英管的内表面的弧度相匹配。

根据本实用新型的一实施方式，所述底座、所述矩形底板以及所述矩形托板为镂空结构。

根据本实用新型的一实施方式，所述镂空结构为通孔或盲孔。

根据本实用新型的一实施方式，所述支撑体的高度为1mm-10mm。

根据本实用新型的一实施方式，所述支撑体的高度为2mm-5mm。。

由上述技术方案可知，本实用新型的利用CVD方法生长石墨烯的载具的优点和积极效果在于：