[实用新型]放射自显影系统

说明书

本实用新型公开了一种放射自显影系统，该放射自显影系统包括：探测装置，其包括闪烁晶体阵列和光电转换器阵列，并且所述闪烁晶体阵列与所述光电转换器阵列通过耦合层或者耦合层与光导的组合来耦合；信号处理装置，其包括用于对所述光电转换器阵列产生的电信号进行采样的第一芯片和用于对所述第一芯片的采样结果进行处理的第二芯片；以及显示装置，其与所述第二芯片连接。通过利用本实用新型提供的放射自显影系统，可以扩大动态探测范围、减少成像时间、提高空间分辨率和成像质量。

技术领域

本实用新型涉及放射自显影成像领域，特别涉及一种放射自显影系统。

背景技术

本部分的描述仅提供与本实用新型公开相关的背景信息，而不构成现有技术。

放射自显影(autoradiography，简称AR)是一种常用于对样品中的放射性示踪剂进行定位和定量研究的成像技术，其可以用于对样品中的放射性示踪剂的分布和动态变化进行追踪。

目前，现有的放射自显影仪器主要包括以下几种：

(1)传统的使用相机胶片的放射自显影仪器，该放射自显影仪器主要检测α电子衰变和β电子衰变，并且在操作时通常需要进行制备自显影标本(包括注入放射性示踪剂)、曝光、显影以及定影等多种处理，需要手动操作且操作繁琐，定量不准，成像时间较长，往往长达数天甚至数月，并且无法重复使用。

(2)使用塑料晶体和电荷耦合器件(CCD)的放射自显影仪器，该放射自显影仪器主要使用β电子的放射性同位素核素(例如，¹⁴C、³⁵S、³²P等)等来作为放射性示踪剂，其空间分辨率可达到数十微米，但该放射自显影仪器的动态探测范围较小，灵敏度较低，无法对能量超过30keV的γ射线进行检测，其不适用于对具有较高能量的γ射线进行探测，并且成本较高。

(3)使用荧光磷屏技术的放射自显影仪器，该放射自显影仪器主要进行β电子和低能量段(例如，511keV以下)的γ光子探测，其操作过程主要如下：首先，利用注入了放射性示踪剂的样品对由磷光体和涂层组成的成像板进行曝光，在曝光之后用不透明的塑料片覆盖成像板，然后将其转移到扫描仪上并用聚焦的激光束(波长为400～650nm)来照射成像板，成像板发出对应的光信号(波长为300～400nm)，并对成像板发出的光信号转换为电信号并数字化，然后利用计算机来进行成像。然而，由于激励用的激光束与成像板发出的光信号的波长不同，所以二者之间会存在一定的干扰，这导致成像的空间分辨率较低、灵敏度也较低。另外，该放射自显影仪器也不适用于对具有较高能量(例如，高于511keV)的γ射线进行探测。此外，该放射自显影仪器所使用的成像板在第一次使用后需要进行高温清洗才能进行第二次使用，这可能会导致成像质量下降，从而影响其成像性能。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种放射自显影系统，以解决上述至少一个问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种放射自显影系统，其包括：

探测装置，其包括闪烁晶体阵列和光电转换器阵列，并且所述闪烁晶体阵列与所述光电转换器阵列通过耦合层或者耦合层与光导的组合来耦合；

信号处理装置，其包括用于对所述光电转换器阵列产生的电信号进行采样的第一芯片和用于对所述第一芯片的采样结果进行处理的第二芯片；以及

显示装置，其与所述第二芯片连接。

优选地，当所述闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体时，每两个所述闪烁晶体之间的间隙为0.04mm～0.2mm，并且所述闪烁晶体阵列的总厚度小于400mm。

优选地，当目标样品的厚度为20μm～100μm时，每两个所述闪烁晶体阵列之间的间距均为1mm～10mm。

优选地，所述光电转换器阵列包括硅光电倍增器、光电倍增管、电荷耦合器件和雪崩光电二极管中的至少一种。