[实用新型]晶圆级封装红外探测器有效
申请号: | 201821840653.0 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN209029389U | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 许勇;王大甲;周龙飞;王春雷 | 申请(专利权)人: | 无锡元创华芯微机电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203 |
代理公司: | 上海襄荣专利代理事务所(特殊普通合伙) 31329 | 代理人: | 祝辽原 |
地址: | 214200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像元 盖帽 衬底 红外探测器 金属密封环 红外敏感 本实用新型 种晶 封装 晶圆级封装 读出电路 红外波段 内圆周壁 熔融焊料 探测系统 吸气剂层 真空封装 真空键合 低成本 电连接 焊料层 透明的 探测器 硅窗 刻蚀 片晶 整片 焊接 密封 室内 | ||
1.一种晶圆级封装红外探测器,其特征在于,包括:盖帽、红外像元衬底和红外敏感像元;所述红外像元衬底上设有第二金属密封环,所述盖帽为对8~14μm红外波段透明的硅窗口,所述盖帽设有第一金属密封环,所述第一金属密封环和所述第二金属密封环通过焊料层真空键合焊接,以使得所述盖帽和所述红外像元衬底密封并具有一腔室;所述红外敏感像元设置在所述腔室内的所述红外像元衬底上并与所述红外像元衬底的读出电路电连接;所述盖帽相对于所述红外敏感像元一侧刻蚀有一凹槽以形成盖帽窗口,所述凹槽内圆周壁设有吸气剂层。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述盖帽为对8~14μm波段吸收较低的磁约束直拉硅或者浮带硅。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述盖帽窗口的正面和\或背面镀有红外透射的抗反射膜层。
4.根据权利要求3所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述抗反射膜层为硫化锌、硒化锌和锗材料其中一种或者多种。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述凹槽的结构高度为10~500μm。
6.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述第一金属密封环和所述第二金属密封环分别包括金属粘附层、阻挡层和抗氧化层。
7.根据权利要求6所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述第一金属密封环和所述第二金属密封环的材料为钛/氮化钛/金、钛/铂金/金、钛/镍/金中的一种。
8.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述焊料层为锡、金/锡、锡/铅、锡/银、锡/银/铜、铟/铅中的一种。
9.根据权利要求8所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述焊料层的厚度为1~50μm。
10.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述吸气剂层的材料为钛、钛锆合金、钛锆钒合金或铝钡合金中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的