[实用新型]集成电路及晶片有效
| 申请号： | 201821832101.5 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN209515661U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 金伯利·道恩·艾勒特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 传输线 第一板 电耦合 电容器 第一电容器 第二金属层 第一金属层 晶片 申请 | ||
1.一种集成电路，其特征在于，包括：
第一电容器，所述第一电容器设置在所述集成电路的第一末端部分中，并包括第一板和第二板，所述第一电容器的所述第一板电耦合到地并设置在所述集成电路的第一金属层内；
第一传输线，所述第一传输线电耦合到所述第一电容器的所述第二板，所述第一传输线设置在所述集成电路的第二金属层内；
第二电容器，所述第二电容器设置在所述集成电路的第二末端部分中，并包括第一板和第二板，所述第二电容器的所述第一板电耦合到地并设置在所述集成电路的所述第一金属层内；以及
第二传输线，所述第二传输线电耦合到所述第二电容器的所述第二板，所述第二传输线设置在所述集成电路的所述第二金属层内。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，
所述第一传输线比所述第一电容器的所述第二板窄；并且
所述第一传输线从所述集成电路的所述第一末端部分延伸到所述集成电路的所述第二末端部分；
所述第一传输线电耦合到地；并且
所述第一传输线平行于所述第二传输线。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一传输线通过从所述传输线的末端部分延伸到所述集成电路的所述第一金属层的通孔电耦合到地。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一传输线通过通孔电耦合到所述第一电容器的所述第二板。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述集成电路还包括：
导电延伸部分，所述导电延伸部分从所述第一电容器的所述第二板在平行于所述第一传输线的方向上延伸；以及
通孔，所述通孔从所述导电延伸部分延伸到所述第一传输线。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述集成电路还包括耦合到所述第一传输线的馈线，所述馈线从所述第一传输线将电磁波传播到信号处理器。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电容器的所述第二板延伸到所述集成电路的两个层中，所述两个层中的每个包括所述集成电路的电气设备。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电容器的所述第一板和所述第一电容器的所述第二板平行于所述第一传输线。
9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电容器和所述第一传输线的组合：
在微波频率下传递电磁波；以及
过滤在微波频率之外的电磁波。
10.一种晶片，其特征在于，包括多个集成电路，所述集成电路中的每个包括：
第一电容器，所述第一电容器设置在所述集成电路的第一末端部分中，并包括第一板和第二板，所述第一电容器的所述第一板电耦合到地并设置在所述集成电路的第一金属层内；
第一传输线，所述第一传输线电耦合到所述第一电容器的所述第二板，所述第一传输线设置在所述集成电路的第二金属层内；
第二电容器，所述第二电容器设置在所述集成电路的第二末端部分中，并包括第一板和第二板，所述第二电容器的所述第一板电耦合到地并设置在所述集成电路的所述第一金属层内；以及
第二传输线，所述第二传输线电耦合到所述第二电容器的所述第二板，所述第二传输线设置在所述集成电路的所述第二金属层内。
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