[实用新型]一种宽带高隔离射频开关有效
| 申请号： | 201821829023.3 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN209283198U | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 刘奎鹏 | 申请（专利权）人： | 北京大华恒威通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/74 | 分类号： | H03K17/74 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 白明珠 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开关电路 匹配电路 射频通路 下腔体 宽带高隔离 开关盒体 偏置电路 驱动电路 射频开关 上腔体 并联 本实用新型 插入损耗 电路结构 高温导线 隔离度高 射频信号 宽频带 体积小 隔开 两路 上腔 体内 输出 | ||
1.一种宽带高隔离射频开关，包括开关盒体，其特征在于，所述开关盒体设置有上腔体和下腔体，所述上腔体内设置有开关电路，所述下腔体设置有驱动电路；所述开关电路与所述驱动电路之间通过高温导线连接。
2.根据权利要求1所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述开关电路包括射频通路；所述射频通路并联有第一匹配电路、第二匹配电路和第三匹配电路；所述射频通路还并联有第一偏置电路和第二偏置电路。
3.根据权利要求2所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述射频通路包括PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D3、PIN二极管D4、PIN二极管D5和PIN二极管D6；所述PIN二极管D2的正极连接所述PIN二极管D1的负极和所述PIN二极管D3的负极，所述PIN二极管D3的正极连接所述PIN二极管D4的正极，所述PIN二极管D4的负极连接所述PIN二极管D5的正极和所述PIN二极管D6的负极；所述PIN二极管D1的正极连接有电容C1，所述PIN二极管D6的正极连接有电容C8；所述PIN二极管D2的负极和所述PIN二极管D5的负极均接地。
4.根据权利要求3所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述第一匹配电路包括电感L1，所述电感L1第一端连接有电阻R1和电容C2，所述电阻R1和所诉电容C2接地，所述电感L1第二端连接于所述电容C1和所述PIN二极管D1的正极之间，所述第一匹配电路通过所述电感L1并联于所述电容C1和所述PIN二极管D1的正极之间；所述第二匹配电路包括电感L5，所述电感L5第一端连接有电阻R3和电容C7，所述电阻R3和所述电容C7接地，所述电感L5第二端连接于所述电容C8和所述PIN二极管D6的正极之间，所述第二匹配电路通过所述电感L5并联于所述电容C8和所述PIN二极管D6的正极之间；所述第三匹配电路包括电感L3，所述电感L3第一端连接有电阻R2和电容C4，所述电阻R2和所述电容C4接地，所述电感L1第二端连接于所述PIN二极管D3的正极和所述PIN二极管D4的正极之间，所述第三匹配电路通过所述电感L3并联于所述PIN二极管D3的正极和所述PIN二极管D4的正极之间。
5.根据权利要求3所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述第一偏置电路包括电感L2，所述电感L2第一端连接有电容C3和DC Bias 1接口，所述电容C3接地，所述电感L2第二端连接所述PIN二极管D2的正极，所述第一偏置电路通过所述电感L2并联于所述PIN二极管D2的正极；所述第二偏置电路包括电感L4，所述电感L4第一端连接有电容C6和DC Bias 2接口，所述电容C6接地，所述电感L4第二端连接所述PIN二极管D5的正极，所述第二偏置电路通过所述电感L4并联于所述PIN二极管D5的正极。
6.根据权利要求5所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述驱动电路设置有NON-INV OUT接口和INV OUT接口，所述NON-INV OUT接口连接所述DC Bias 2接口，所述INV OUT接口连接所述DC Bias 1接口。
7.根据权利要求1所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述开关盒体的上腔体和下腔体的宽度为6mm。
8.根据权利要求1所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述开关盒体的上腔体和下腔体的深度为5mm。
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