[实用新型]MOS管驱动电路、全桥LLC电路及DC-DC转换器有效

专利信息
申请号: 201821814545.6 申请日: 2018-11-05
公开(公告)号: CN209472543U 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 郭超群;王绍煦;唐建国;黎文权 申请(专利权)人: 厦门科华恒盛股份有限公司;深圳市科华恒盛科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/34
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 王仲凯
地址: 361000 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 尖峰吸收电路 本实用新型 驱动信号 尖峰 全桥 驱动信号输出端 动态切换 干扰产生 尖峰电压 使用寿命 用户体验 源极连接 栅极连接 第一端 公共端 短路 击穿 空载 吸收 源极 串联 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种MOS管驱动电路,包括:MOS管和尖峰吸收电路;其中,尖峰吸收电路的第一端与MOS管的源极连接,尖峰吸收电路的第二端与MOS管的栅极连接其公共端与驱动信号输出端连接,用于吸收MOS管的驱动信号的尖峰;本实用新型通过在MOS管的栅极和源极之间串联的尖峰吸收电路,利用尖峰吸收电路吸收驱动信号的尖峰,避免了在电路处于动态切换、短路、空载等状态下时,MOS管被驱动信号因受到干扰产生的尖峰电压击穿的情况,实用性强且增加了MOS管的使用寿命,提升了用户体验。此外,本实用新型还公开了一种全桥LLC电路及DC‑DC转换器,同样具有上述有益效果。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域,特别涉及一种MOS管驱动电路、全桥LLC电路及DC-DC转换器。

背景技术

在电子电路技术领域中,MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,MOSFET)具备体积小、重量轻、寿命长等优势,因此被广泛应用。在各应用场合中,MOS管可靠而稳定的开通与关断与MOS管的驱动电路密切相关。在控制MOS管开通、关断的驱动电路中,考虑到MOS管的材质及开通电压、MOS管的开关损耗、驱动电路的驱动能力时,电路的驱动电压一般不会太低,因此在电路处于动态切换、短路、空载等状态下时,MOS管的驱动信号容易受扰,从而导致MOS管被击穿。

因此,如何避免MOS管驱动电路中的MOS管被击穿的情况,增加MOS管的使用寿命,提升用户体验,是现今急需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种MOS管驱动电路、全桥LLC电路及 DC-DC转换器,以利用尖峰吸收电路吸收驱动信号的尖峰,避免MOS管被击穿的情况。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种MOS管驱动电路,包括: MOS管和尖峰吸收电路;

其中,所述尖峰吸收电路的第一端与所述MOS管的源极连接,所述尖峰吸收电路的第二端与所述MOS管的栅极连接其公共端与驱动信号输出端连接,用于吸收所述MOS管的驱动信号的尖峰。

可选的,所述尖峰吸收电路具体为RC吸收电路。

可选的,所述RC吸收电路,包括:电阻和电容;

其中,所述电容的第一端作为所述RC吸收电路的第一端与所述MOS管的源极连接,所述电容的第二端与所述电阻的第一端连接,所述电阻的第二端作为所述RC吸收电路的第二端与所述MOS管的栅极连接其公共端与驱动信号输出端连接。

可选的,该MOS管驱动电路还包括:驱动电阻;

其中,所述驱动电阻的第一端与所述驱动信号输出端连接,所述驱动电阻的第二端与所述RC吸收电路的第二端和所述MOS管的栅极相连的公共端连接。

本实用新型还提供了一种全桥LLC电路,包括如上述任一项所述的MOS 管驱动电路。

此外,本实用新型还提供了一种DC-DC转换器,包括如上一项所述的全桥LLC电路。

本实用新型所提供的一种MOS管驱动电路,包括:MOS管和尖峰吸收电路;其中,尖峰吸收电路的第一端与MOS管的源极连接,尖峰吸收电路的第二端与MOS管的栅极连接其公共端与驱动信号输出端连接,用于吸收MOS 管的驱动信号的尖峰;

可见,本实用新型通过在MOS管的栅极和源极之间串联的尖峰吸收电路,利用尖峰吸收电路吸收驱动信号的尖峰,避免了在电路处于动态切换、短路、空载等状态下时,MOS管被驱动信号因受到干扰产生的尖峰电压击穿的情况,实用性强且增加了MOS管的使用寿命,提升了用户体验。此外,本实用新型还提供了一种全桥LLC电路及DC-DC转换器,同样具有上述有益效果。

附图说明

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