[实用新型]显示装置有效
申请号: | 201821810685.6 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN209708607U | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 林宏宜 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | G09G3/34 | 分类号: | G09G3/34 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 陈伟;闫剑平<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描线 电连接 像素晶体管 像素 驱动 影像信号线 电平转换 方向排列 扫描信号 像素电容 本实用新型 扫描线控制 电性并联 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,具有:
TFT基板,其具有构成多个像素的像素电容以及像素晶体管、多个扫描线以及多个影像信号线,多个所述像素沿第一方向以及与该第一方向相交的第二方向排列成矩阵状,多个所述扫描线与沿所述第一方向排列的各所述像素电连接,多个所述影像信号线与沿所述第二方向排列的各所述像素电连接;和
驱动部,其设于所述TFT基板,经由所述扫描线对所述像素晶体管进行导通关断控制,
所述像素晶体管包括:
PMOS晶体管,其电连接在所述影像信号线与所述像素电容之间;和
NMOS晶体管,其与所述PMOS晶体管电性并联连接,
所述扫描线包括:
第一扫描线,其与所述NMOS晶体管的栅极电连接;和
第二扫描线,其与所述PMOS晶体管的栅极电连接,
所述驱动部经由a个电平转换部生成用于驱动所述PMOS晶体管的栅极的第一扫描信号并将其供给至所述第一扫描线,并且经由b个电平转换部生成用于驱动所述NMOS晶体管的栅极的第二扫描信号并将其供给至所述第二扫描线,所述a与所述b为彼此不同的整数。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述像素晶体管构成为多个所述PMOS晶体管串联连接在所述影像信号线与所述像素电容之间,与所述PMOS晶体管相同数量的NMOS晶体管串联连接在所述影像信号线与所述像素电容之间。
3.如权利要求1或者2所述的显示装置,其特征在于,
所述第一扫描信号与所述第二扫描信号彼此的极性相反。
4.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述第一扫描信号的高电位比供给至所述影像信号线的影像信号的电压上限值高,
所述第二扫描信号的低电位比供给至所述影像信号线的影像信号的电压下限值低。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
所述第一扫描信号的低电位为供给至所述影像信号线的影像信号的电压上限值与电压下限值的电位差的半值以下,
所述第二扫描信号的高电位为供给至所述影像信号线的影像信号的电压上限值与电压下限值的电位差的半值以上。
6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,
所述第二扫描信号的高电位是比供给至所述影像信号线的影像信号的电压上限值与电压下限值的电位差的半值仅高出所述NMOS晶体管的偏移电压的大小的值。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,
所述第一扫描信号的低电位是比供给至所述影像信号线的影像信号的电压上限值与电压下限值的电位差的半值仅低了所述PMOS晶体管的偏移电压的大小的值。
8.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述驱动部设于所述TFT基板的设有所述像素的显示区域的外侧的边框区域。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,
所述驱动部由多个薄膜晶体管构成,
所述TFT基板在所述边框区域设有仅对在俯视下与所述薄膜晶体管重叠的区域进行遮光的反射膜。
10.如权利要求1、2、4~7中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述驱动部设于所述TFT基板的设有所述像素的显示区域的外侧的边框区域。
11.如权利要求10所述的显示装置,其特征在于,
所述驱动部由多个薄膜晶体管构成,
所述TFT基板在所述边框区域设有仅对在俯视下与所述薄膜晶体管重叠的区域进行遮光的反射膜。
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