[实用新型]一种碳化硅单晶生长用双层坩埚有效
| 申请号： | 201821809471.7 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209144312U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 梁晓亮;高超;宁秀秀;李霞;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 赵长林 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 双层坩埚 卡装部 碳化硅单晶 传热部 坩埚盖 热量发生器 保温材料 封闭空间 辐射热量 内壁密封 使用寿命 原料容器 原料组份 坩埚侧壁 生长 晶体的 均匀性 内壁 申请 温场 侵蚀 室内 外部 | ||
1.一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，包括：
外坩埚，所述外坩埚用于产生及辐射热量；
内坩埚，所述内坩埚设在外坩埚的腔室内，在内坩埚上设有一坩埚盖，坩埚盖的最高点低于外坩埚侧壁的最高点；
所述内坩埚的壁分为卡装部和传热部，所述卡装部设在内坩埚的上部，所述卡装部与外坩埚的内壁密封相连，所述传热部与外坩埚的内壁之间设有间隙，所述间隙相对于外界密闭设置。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，所述外坩埚的内壁上设有环状的支撑台，所述卡装部与支撑台抵接设置。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，在卡装部与支撑台之间设有用于调节高度的圆环。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，所述内坩埚为石墨坩埚，所述内坩埚的显气孔率为25％-29％；所述内坩埚的显气孔率大于外坩埚的显气孔率。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，内坩埚的底部和外坩埚的底部导圆角设置。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，所述传热部与外坩埚之间的距离为3mm-20mm；所述传热部与外坩埚之间的距离为5mm-12mm。
7.根据权利要求3所述的一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，所述圆环为活动设置的石墨圆环。
8.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，所述内坩埚的厚度为7mm-12mm，外坩埚的厚度为12mm-20mm。
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