[实用新型]一种用于碳化硅单晶生长的装置

权利要求书

1.一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于，包括：外坩埚，在外坩埚外设置保温加热装置，所述外坩埚分为放置原料的原料部和供原料升华结晶的气体流通区域；所述外坩埚中设置若干小坩埚，所述小坩埚设在原料部，所述小坩埚与外坩埚的内壁隔离设置；所述小坩埚包括容器本体和容器盖；所述小坩埚设置在原料部的底部中间区域或靠近外坩埚侧壁的区域。

2.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于：所述容器本体和/或容器盖上设置有若干通孔。

3.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于：在通孔内设有石墨层。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于：所述小坩埚为钽材料坩埚或镀钽石墨材料坩埚。

5.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于：所述小坩埚为石墨坩埚，在石墨坩埚上设有石墨坩埚盖。

6.根据权利要求5所述的一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于：在小坩埚内设有若干侵蚀部，所述侵蚀部的壁厚小于石墨坩埚的平均壁厚，所述侵蚀部的壁厚小于石墨坩埚盖的平均厚度。

7.根据权利要求6所述的一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于：所述侵蚀部形成的侵蚀空间的形状为圆锥或圆台，圆锥或圆台的底面远离小坩埚的外壁设置。

8.根据权利要求7所述的一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于：所述侵蚀空间位于小坩埚的底部。