[实用新型]内衬组件、反应腔室及半导体加工设备

说明书

本公开提供了一种内衬组件，包括：套设的至少两层内衬，所述至少两层内衬接地，每层内衬沿其周向开设有多个缝隙，对于所述至少两层内衬中的任意相邻两层内衬，其中一层内衬的所述多个缝隙在一平面的投影与其中另一层内衬的所述多个缝隙在所述平面的投影不重叠，所述平面为所述相邻两层内衬中其中一层内衬轴线所在的平面。

技术领域

本公开属于半导体加工领域，更具体地涉及一种内衬组件、反应腔室及半导体加工设备。

背景技术

磁控溅射物理气相沉积设备包括反应腔室。反应腔室的基座承载待加工工件。靶材密封在反应腔室顶端。支撑组件和靶材形成密封腔体，其中充满去离子水。工艺时，密封腔体中的磁控管扫描靶材，向反应腔室内充入工艺气体，工艺气体受激产生等离子体。等离子体轰击靶材，金属原子沉积在待加工工件的同时，还会沉积在反应腔室侧壁，造成反应腔室被污染，影响反应腔室的寿命和使用成本。

实用新型内容

根据本公开的一个方面，提供了一种内衬组件，包括：套设的至少两层内衬，所述至少两层内衬接地，每层内衬沿其周向开设有多个缝隙，对于所述至少两层内衬中的任意相邻两层内衬，其中一层内衬的所述多个缝隙在一平面的投影与其中另一层内衬的所述多个缝隙在所述平面的投影不重叠，所述平面为所述相邻两层内衬中其中一层内衬轴线所在的平面。

在本公开的一些实施例中，所述任意相邻两层内衬包括：第一内衬以及第二内衬，所述第一内衬的所述多个缝隙为第一缝隙，且所述第二内衬的所述多个缝隙为第二缝隙；任一个所述第一缝隙、与所述任一个所述第一缝隙相邻的一个所述第二缝隙、以及所述第一内衬与所述第二内衬之间、且位于所述任一个所述第一缝隙与所述相邻的一个所述第二缝隙之间的间隙构成一个屏蔽单元。

在本公开的一些实施例中，所述屏蔽单元的深宽比为B/A+C/D，所述深宽比大于5，其中，A为所述第一缝隙在所述第一内衬周向的宽度或所述第二缝隙在所述第二内衬周向的宽度；B为所述第一内衬径向的厚度或所述第二内衬径向的厚度；C为相邻两个第一缝隙在所述第一内衬周向的距离，或者相邻两个第二缝隙在所述第二内衬周向的距离；D为所述第一内衬与所述第二内衬在所述第一内衬径向或所述第二内衬径向的间距。

在本公开的一些实施例中，相邻两个所述第一缝隙在所述第一内衬周向的距离以及相邻两个第二缝隙在所述第二内衬周向的距离均不小于2mm。

在本公开的一些实施例中，所述第一内衬径向的厚度和所述第二内衬径向的厚度均为5mm。

在本公开的一些实施例中，所述第一内衬与所述第二内衬之间的径向间距小于10mm。

在本公开的一些实施例中，所述第一缝隙的周向宽度以及所述第二缝隙的周向宽度范围均为0.5mm至10mm。

在本公开的一些实施例中，所述第一缝隙的数量和所述第二缝隙的数量均为数十量级。

在本公开的一些实施例中，所述第一缝隙的数量和所述第二缝隙的数量均不小于60。

在本公开的一些实施例中，所述第一缝隙的数量与所述第二缝隙的数量相同。

在本公开的一些实施例中，所述第一缝隙位于与所述第一缝隙相邻的两个所述第二缝隙的中心位置。

在本公开的一些实施例中，所述第一缝隙沿所述第一内衬轴向延伸，和/或所述第二缝隙沿所述第二内衬轴向延伸。

根据本公开的另一个方面，提供了一种反应腔室，包括：基座，用于承载代加工工件；靶材，设置在所述反应腔室的上部空间中；上述的内衬组件，所述内衬组件设置于所述靶材以下、所述基座以上的所述反应腔室侧壁，以防止所述靶材沉积至所述反应腔室侧壁。

在本公开的一些实施例中，上述反应腔室还包括线圈，环绕耦接在所述靶材与所述基座之间的所述反应腔室侧壁，其中，所述线圈与射频电源耦合。