[实用新型]一种制备碳化硅单晶的坩埚有效
| 申请号： | 201821803138.5 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209481848U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 高超;李长进;刘家朋;李加林;李宏刚;刘鹏飞;孙元行 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 坩埚 坩埚主体 套环 制备 快速转换 制造成本 轴向移动 发热区 配套的 螺纹 衬底 单晶 热场 申请 外部 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备碳化硅单晶的坩埚，其特征在于，所述坩埚包括坩埚主体和至少一个套环，所述套环设置在坩埚主体的外部，所述套环可沿坩埚主体轴向移动套环。
2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚主体的侧壁外表面与所述套环的内表面通过螺纹连接。
3.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述螺纹的螺距为0.2-2mm。
4.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述套环到所述坩埚的投影高度为5-15mm。
5.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述套环到所述坩埚的投影高度与所述坩埚主体的高度比值为1：5-20。
6.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述套环的厚度为5-25mm。
7.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚主体的侧壁外表面具有标识，标识可标记套环的位置。
8.根据权利要求7所述的坩埚，其特征在于，所述标识为刻度标记。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的坩埚，其特征在于，所述的坩埚为石墨坩埚，所述的套环为石墨套环。
10.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包含权利要求1-9中任一项所述的坩埚。
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