[实用新型]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201821795701.9 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN209119169U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 唐岳军;李雪云 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光二极管显示器 本实用新型 保护盖板 封装 有机发光二极管阵列 边框 薄膜封装 侧面设置 盖板 封框胶 轻薄化 基板 去除 粘接 环绕 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器包括:
有机发光二极管阵列基板;
保护盖板,所述保护盖板与所述有机发光二极管阵列基板相对设置,所述保护盖板用于封装所述有机发光二极管阵列基板;
封框胶,所述封框胶环绕所述有机发光二极管阵列基板的侧面设置且粘接所述保护盖板。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器还包括增透层,所述增透层位于所述有机发光二极管阵列基板和所述保护盖板之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述增透层包括至少两层不同折射率的所述增透层,所述有机发光二极管阵列基板的阴极的折射率、至少两层不同折射率的所述增透层的折射率以及所述保护盖板的折射率依次沿所述有机发光二极管阵列基板指向所述保护盖板的方向逐渐增大或逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器还包括抗反射层。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述抗反射层位于所述有机发光二极管阵列基板和所述保护盖板之间。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器还包括增透层,所述增透层包括第一增透层和第二增透层,所述第一增透层位于所述有机发光二极管阵列基板和所述抗反射层之间,所述第二增透层位于所述抗反射层和所述保护盖板之间,所述第一增透层的折射率位于所述有机发光二极管阵列基板的阴极的折射率和所述抗反射层的折射率之间,所述第二增透层的折射率位于所述抗反射层的折射率和所述保护盖板的折射率之间。
7.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述抗反射层位于所述保护盖板的外侧,所述保护盖板的外侧为所述保护盖板上远离所述有机发光二极管阵列基板的一侧。
8.根据权利要求4-7任一项所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述抗反射层为圆偏光片。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器还包括阻挡层,所述阻挡层位于所述有机发光二极管阵列基板和所述保护盖板之间。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述阻挡层为一层无机层,或,所述阻挡层为依次设置在所述有机发光二极管阵列基板上的无机层和有机层的交叠层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择