[实用新型]反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，其特征在于，包括：

基座，用于承载待加工工件；

靶材，设置在所述反应腔的上部空间中；以及

准直器，设置在所述靶材以下、所述待加工工件以上的空间中，以提高所述待加工工件深孔底部的覆盖率以及深孔侧壁覆盖率的对称性。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述准直器包括中心区域、中间区域及边缘区域；

所述中心区域、所述中间区域、所述边缘区域均包括多个沿所述反应腔侧壁方向延伸的通孔，在所述中心区域中通孔的深宽比为中心深宽比，在所述中间区域中的通孔的深宽比为中间深宽比，在所述边缘区域中的通孔的深宽比为边缘深宽比；其中，所述中间深宽比大于所述中心深宽比和所述边缘深宽比中的至少一者。

3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述中间深宽比大于所述中心深宽比，所述中间深宽比大于所述边缘深宽比。

4.如权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述中心深宽比与所述边缘深宽比相同。

5.如权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述中间深宽比比所述中心深宽比和/或所述边缘深宽比大15％以上。

6.如权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述中心深宽比与所述边缘深宽比的比值大于2。

7.如权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述中心区域、所述中间区域、所述边缘区域具有相同的通孔面积，且所述中间区域的通孔深度大于所述中心区域及所述边缘区域的通孔深度。

8.如权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述中心区域、所述中间区域、所述边缘区域具有相同的通孔深度，且所述中间区域的通孔面积小于所述中心区域及所述边缘区域的通孔面积。

9.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，还包括：

线圈，环绕耦接在所述准直器与所述基座之间的所述腔侧壁，其中，所述线圈耦合到射频电源。

10.如权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，还包括：

上内衬，所述上内衬是所述腔侧壁的一部分，且所述准直器耦接至所述上内衬；及

法拉第内衬，所述法拉第内衬也是所述腔侧壁的一部分，位于所述上内衬与所述基座之间，且所述线圈设置在所述法拉第内衬外侧。

11.如权利要求10所述的反应腔室，其特征在于，所述法拉第内衬悬浮设置。

12.如权利要求10所述的反应腔室，其特征在于，所述法拉第内衬上设置有至少一个开缝，所述开缝沿所述法拉第内衬轴向设置。

13.如权利要求12所述的反应腔室，其特征在于，所述开缝宽度小于10mm。

14.如权利要求2-13中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述中心区域和所述边缘区域在反应腔横截面的投影面积之和占所述准直器在反应腔横截面平面投影总面积的60％以上。

15.如权利要求1-13中任一所述的反应腔室，其特征在于，所述准直器的材料为铝或者不锈钢。

16.一种半导体加工设备，其特征在于，包括如权利要求1-15任一项所述的反应腔室。