[实用新型]显示面板、显示屏和显示终端有效
申请号: | 201821784602.0 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN209071332U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 谢峰;楼均辉;张治权;赵永亮;饶潞 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离柱 阴极层 像素定义层 显示面板 显示终端 显示屏 本实用新型 连接为一体 阴极 第一电极 堆叠设置 像素开口 正常显示 顶表面 发光层 有效地 层间 多层 隔断 基板 下层 垂直 上层 延伸 | ||
1.显示面板,其特征在于,包括:
基板;
形成于所述基板上的第一电极;
像素定义层,形成于所述第一电极上,所述像素定义层上形成有多个像素开口;及
隔离柱,形成于所述像素定义层上;
其中,所述隔离柱包括多层堆叠设置的隔离柱层;至少两个相邻的所述隔离柱层间形成有台阶;
在垂直于所述隔离柱的延伸方向上,形成所述台阶且位于上层的所述隔离柱层的底表面的宽度,大于形成所述台阶且位于下层的所述隔离柱层的顶表面的宽度;
所述隔离柱的延伸方向平行于所述基板;所述宽度为所述隔离柱在所述基板上形成的正投影,在垂直于所述隔离柱的延伸方向上的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述隔离柱的延伸方向上,所述隔离柱层的顶表面的宽度,大于或等于所述隔离柱层的底表面的宽度。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述隔离柱层在垂直于所述基板且垂直于所述隔离柱延伸方向上的截面形状为倒梯形。
4.根据权利要求1~3任一项所述的显示面板,其特征在于,形成所述台阶的相邻两所述隔离柱层的材料相同;或
形成所述台阶的相邻两所述隔离柱层的材料相异。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,形成所述台阶的相邻两所述隔离柱层的材料相异;
所述隔离柱还包括至少一阻挡层;所述阻挡层位于形成所述台阶且位于下层的所述隔离柱层下层;所述阻挡层与形成所述台阶且与所述阻挡层相接触的所述隔离柱层的刻蚀选择比小于1。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡层位于两层所述隔离柱层之间;所述阻挡层与其相邻的两层所述隔离柱层中任一的刻蚀选择比均小于1。
7.根据权利要求1~3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述隔离柱还包括在垂直于所述基板的方向贯穿所述隔离柱的至少一间隔槽,以沿所述隔离柱的延伸方向将所述隔离柱分隔为至少两部分。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述间隔槽具有远离所述基板的第一端及靠近所述基板的第二端;
在垂直于所述隔离柱的延伸方向上,所述间隔槽的第一端的宽度,小于所述间隔槽的第二端的宽度。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述间隔槽的第一端的宽度为0.5~1微米。
10.根据权利要求1~3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为PMOLED显示面板、各结构膜层材料的透光率均大于90%;和/或
所述显示面板的导电走线的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。
11.根据权利要求1~3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述隔离柱包括多个第一类型隔离柱;在所述第一类型隔离柱的延伸方向上,所述第一类型隔离柱的宽度连续变化或间断变化。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,多个所述第一类型隔离柱在所述基板上并行排列。
13.根据权利要求1~3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极呈波浪形延伸;多个所述第一电极沿相同的方向并行延伸,且相邻的第一电极间具有间距;在所述第一电极的延伸方向上,所述第一电极的宽度连续变化或间断变化,且所述间距连续变化或间断变化。
14.根据权利要求1~3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述像素开口包括第一类型像素开口;所述第一类型像素开口在所述基板上的投影的各边均为曲线,且各边互不平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的