[实用新型]图像像素件及图像像素阵列有效
申请号: | 201821762271.0 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN209183547U | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | S·伯萨库尔;M·A·苏弗里德格 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 高文静 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像像素 本实用新型 子像素组 图像像素阵列 光屏蔽 像素 光敏感度 技术效果 外边界 外周边 | ||
1.一种图像像素件,其特征在于,包括:
呈现不同光敏感度的第一子像素组和第二子像素组;
形成在所述图像像素的外边界处的像素间光屏蔽结构;以及
形成在所述第一子像素组的外周边上方的像素内光屏蔽结构。
2.根据权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,还包括:
形成在所述第一子像素组和所述第二子像素组中的至少一者上方的滤光器层。
3.根据权利要求2所述的图像像素件,其特征在于,其中所述滤光器层仅形成在所述像素间光屏蔽结构和所述像素内光屏蔽结构之间。
4.根据权利要求3所述的图像像素件,其特征在于,其中所述像素内光屏蔽结构在所述第一子像素组的光收集区域上方延伸。
5.根据权利要求4所述的图像像素件,其特征在于,其中所述滤光器层是透明滤光器。
6.根据权利要求2所述的图像像素件,其特征在于,其中所述滤光器层在所述像素内光屏蔽结构内以及在所述像素间光屏蔽结构和所述像素内光屏蔽结构之间形成,并且其中所述滤光器层是滤色器。
7.根据权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,还包括:
将入射光导向所述第二子像素组的微透镜。
8.根据权利要求1所述的图像像素件,其特征在于,还包括:
连接所述像素间光屏蔽结构和所述像素内光屏蔽结构的翅片结构。
9.一种图像像素阵列,其特征在于,包括:
形成在所述图像像素阵列中的相邻图像像素之间的像素间隔离结构;以及
形成在所述图像像素阵列中的每个图像像素内的像素内隔离结构。
10.根据权利要求9所述的图像像素阵列,其特征在于,还包括:
形成在所述图像像素阵列中的图像像素的第一子集上方的透明滤光器材料,其中所述透明滤光器材料仅在所述像素间隔离结构和与图像像素的所述第一子集相关联的所述像素内隔离结构之间形成;以及
形成在所述图像像素阵列中的图像像素的第二子集上方的滤色器材料,其中所述滤色器材料在所述像素间隔离结构和与图像像素的所述第二子集相关联的所述像素内隔离结构之间,以及在被与图像像素的所述第二子集相关联的所述像素内隔离结构包围的区域之间形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821762271.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体组件
- 下一篇:一种OLED显示模组
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的