[实用新型]一种基于DZ-H扩散硅液位传感器的水深检测电路有效
| 申请号: | 201821758328.X | 申请日: | 2018-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN208721193U | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
| 发明(设计)人: | 徐磊;张宇思 | 申请(专利权)人: | 南京林业大学 |
| 主分类号: | G01F23/22 | 分类号: | G01F23/22 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 王清义 |
| 地址: | 210037 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扩散硅 电压跟随电路 液位传感器 传感器电路 电阻 运算放大电路 电源 本实用新型 检测电路 细分电路 水深 精密 测量 抗干扰能力 水深传感器 实时检测 水深信号 一端连接 正极连接 电流表 投入式 淤积 电路 制作 | ||
本实用新型公开了一种基于DZ‑H扩散硅液位传感器的水深检测电路,包括传感器电路、电压细分电路、电压跟随电路和精密运算放大电路,传感器电路与电压跟随电路连接,电压跟随电路和电压细分电路均与精密运算放大电路连接;传感器电路包括DZ‑H扩散硅液位传感器J1、电源BT1、电阻R和电流表,DZ‑H扩散硅液位传感器J1与电源BT1的正极连接,电源BT1与电阻R的一端连接,电阻R的另一端与电压跟随电路连接;本实用新型采用扩散硅投入式水深传感器,直接投入到被测量的液体中进行测量,不受水底淤积的影响,使用方便,抗干扰能力好,电路简单可靠、方便,能够完成对水深信号的实时检测,制作成本低。
技术领域
本实用新型可以应用在传感器行业,是扩散硅水深传感器的应用领域,具体涉及一种基于DZ-H扩散硅液位传感器的水深检测电路。
背景技术
水位监测在航道船闸、码头、水库、水文站等场合起着至关重要的作用,目前国内主要采用浮子式水位计、压力式水位计、超声波水位计等作为测量工具。但浮子式水位计受水底的淤积等影响较大,不能够实时的传送数据,还需要定时的进行人工维护,耗时耗力;压力式水位计容易受温度、水流的影响,导致读数不稳定;超声波水位计可以实时的传送数据,但是投入成本比较高,安装麻烦,受传播介质的影响也比较大。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足提供一种基于DZ-H扩散硅液位传感器的水深检测电路,本基于DZ-H扩散硅液位传感器的水深检测电路采用扩散硅投入式水深传感器,直接投入到被测量的液体中进行测量,不受水底淤积的影响,使用方便,抗干扰能力好,电路简单可靠、方便,能够完成对水深信号的实时检测,制作成本低。
为实现上述技术目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种基于DZ-H扩散硅液位传感器的水深检测电路,包括传感器电路、电压细分电路、电压跟随电路和精密运算放大电路,所述传感器电路与电压跟随电路连接,所述电压跟随电路和电压细分电路均与精密运算放大电路连接;
所述传感器电路包括DZ-H扩散硅液位传感器J1、电源BT1、电阻R和电流表,所述DZ-H扩散硅液位传感器J1的一端与电源BT1的正极连接,另一端与电流表连接,所述电源BT1的负极与电阻R的一端连接,所述电阻R的另一端分别与电流表和电压跟随电路连接;
所述电压跟随电路和精密运算放大电路采用运放LM324;
所述电压细分电路包括稳压二极管D1、电阻R1、电阻R4和电位器RP1,所述稳压二极管D1的负极和电阻R1的一端均连接5V电源,所述电阻R1的另一端与电位器RP1的固定端连接,所述电位器RP1的另一固定端和电阻R4的一端连接,所述电阻R4的另一端和稳压二极管D1的正极均连接地线,所述电位器RP1的可调端与精密运算放大电路连接。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述的电压跟随电路采用运放LM324,所述运放LM324的引脚3分别与电流表和电阻R的一端连接,所述运放LM324的引脚2与运放LM324的引脚1连接且运放LM324的引脚1与精密运算放大电路连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京林业大学,未经南京林业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821758328.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种浓硫酸计量罐
- 下一篇:一种可隔空监测液位的高灵敏度高精度电子液位感应器





