[实用新型]一种基于十二主栅型电池片的栅线结构有效
申请号: | 201821750286.5 | 申请日: | 2018-10-27 |
公开(公告)号: | CN209133516U | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 赵雅;费春燕;赵沁;赵卫东;赵枫;朱广和;李向华;顾为 | 申请(专利权)人: | 江苏东鋆光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 赵海波;孙燕波 |
地址: | 214421 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 主栅线 栅线 本实用新型 电池片 分栅 焊点 栅线结构 副栅线 分叉 受光 小段 主栅 光伏发电 宽度控制 有效收集 转换效率 线间隔 隐裂 焊接 避开 | ||
本实用新型公开了一种基于十二主栅型电池片的栅线结构,涉及光伏发电技术领域。本实用新型包括主栅线和副栅线,主栅线由若干栅点和分栅线组成,栅点和分栅线间隔分布,位于主栅线两端的分栅线一端均设有一组栅线分叉,主栅线上设有若干小段栅线,小段栅线位于两副栅线之间,主栅线的数量设为十二个,主栅线的宽度在0.1mm‑0.2mm的范围。本实用新型通过设有十二根主栅线,并将主栅线主体部分的宽度控制在0.1mm‑0.2mm的范围,提高了受光面积,通过在主栅线两端设有栅线分叉,确保可有效收集电流的同时,增加部分受光面积,同时避开主栅线焊接时的起焊点,减少了起焊点隐裂,解决了现有的电池片光电的转换效率过低的问题。
技术领域
本实用新型属于光伏发电技术领域,特别是涉及一种基于十二主栅型电池片的栅线结构。
背景技术
随着光伏行业的高速发展,高效差异化产品成为各大企业竞争的王牌,使用高效率和高性价比的光伏组件来降低度电成本已逐渐成为光伏行业发展的方向和共识。
太阳光从电池片正面进入电池,正面的金属电极会遮挡一部分光,这部分照在电极上的光能也就无法转变成电能,从这个角度看,我们希望栅线做的越细越好,而印刷栅线的目的在于传导电流,从电阻率的角度分析,栅线越细则导电横截面积越小,电阻损失越大,因此主栅和副栅设计的核心是如何在遮光面积和导电效果之间进行权衡,获得最佳的设计方案。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种基于十二主栅型电池片的栅线结构,通过设有十二根主栅线,并将主栅线主体部分的宽度控制在0.1mm-0.2mm的范围,提高了受光面积,通过在主栅线两端设有栅线分叉,确保可有效收集电流的同时,增加部分受光面积,同时避开主栅线焊接时的起焊点,减少了起焊点隐裂,解决了现有的电池片光电的转换效率过低的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:
本实用新型为一种基于十二主栅型电池片的栅线结构,包括主栅线和副栅线,在扩散工序进行工艺优化,在现有两步透氧扩散工艺基础上增加前氧浓度、增加第二步扩散源流量和增加表面掺杂浓度,提升片内方阻均匀性,降低串联电阻,提升短路电流及开路电压,从而获得更高的转换效率提升;
所述主栅线由若干栅点和分栅线组成,所述栅点和分栅线间隔分布;
位于所述主栅线两端的分栅线一端均设有一组栅线分叉;
所述主栅线上设有若干小段栅线,所述小段栅线位于两副栅线之间。
进一步地,所述主栅线的数量设为十二个,所述主栅线的宽度在0.1mm-0.2mm的范围,所述小段栅线的宽度比主栅线的宽度大5um;
通过实验并利用迭代法能够得出主栅线的最佳数量为十二个,方法为:给定一个工艺上可实现的WF值,对下列公式用实验值代入求得一个S0值,取S1=S0/2为初始值,然后按照牛顿迭代法进行迭代计算,公式为其中Psf为细栅线遮光相对功率损耗,Prf为细栅线电阻相对功率损耗,Pcf为接触电阻损耗,Ptl为正面横向电流总相对功率损耗,这个过程将收敛到一个不变的值上,这个值即为最佳的栅线设计。
进一步地,所述栅点的宽度设为0.6mm,所述分栅线的宽度设为0.1mm。
进一步地,所述栅线分叉由直线和斜线组成,两所述栅线分叉关于主栅线的中心线对称,所述斜线与直线的角度在40-50°的范围。
本实用新型具有以下有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏东鋆光伏科技有限公司,未经江苏东鋆光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821750286.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:萧特基二极管倒晶结构
- 下一篇:一种电池片
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的