[实用新型]一种基于运算放大器采样控制底噪的AB类放大器有效
| 申请号： | 201821749623.9 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN208924195U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 秦鹏举;卢昌鹏 | 申请（专利权）人： | 上海海栎创微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区丹桂*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 运算放大器 输出端 电流采样电路 输入端 限压 底噪 采样控制 负输入端 源极连接 栅极连接 正输入端 漏极 偏置 高压MOS器件 本实用新型 衬底电流 正反馈 减小 开发 | ||
1.一种基于运算放大器采样控制底噪的AB类放大器，其特征在于，包括：
MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压的第一端口和接入第二偏置电压的第二端口；
MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管、第一运算放大器和第二运算放大器；
所述第二P型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第一偏置电压；所述第二N型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第二偏置电压；
所述第一N型偏置MOS管与第二P型偏置MOS管之间串联N型限压MOS管，所述第一P型偏置MOS管与所述第二N型偏置MOS管之间串联P型限压MOS管；
第一电流采样电路的输出端与所述第一运算放大器的负输入端连接，输入端与所述第一P型偏置MOS管的源极连接；第二电流采样电路的输出端与所述第一运算放大器的正输入端连接，输入端与所述P型限压MOS管的漏极连接；所述第一运算放大器的输出端与所述P型限压MOS管的栅极连接；
第三电流采样电路的输出端与所述第二运算放大器的负输入端连接，输入端与所述N型限压MOS管的漏极连接；第四电流采样电路的输出端与所述第二运算放大器的正输入端连接，输入端与所述第一N型偏置MOS管的源极连接；所述第二运算放大器的输出端与所述N型限压MOS管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的基于运算放大器采样控制底噪的AB类放大器，其特征在于，所述MOS管输出模块包括：
P型输出MOS管和N型输出MOS管；所述P型输出MOS管的源极与电源连接，所述P型输出MOS管与所述N型输出MOS管共漏极并作为AB类放大器的输出端，所述N型输出MOS管的源极接地；其中，所述第一端口为所述P型输出MOS管的栅极，所述第二端口为所述N型输出MOS的栅极。
3.根据权利要求2所述的基于运算放大器采样控制底噪的AB类放大器，其特征在于，所述MOS管偏置控制模块包括：
所述第二P型偏置MOS管的栅极作为AB类放大器的第一输入端，所述第二P型偏置MOS管的源极与电源连接，所述第二P型偏置MOS管的漏极分别与所述第一P型偏置MOS管的源极、所述第一N型偏置MOS管的漏极和所述P型输出MOS管的栅极连接；
所述第一P型偏置MOS管的源极与所述P型输出MOS管的栅极连接，漏极与所述N型输出MOS管的栅极连接；所述第一N型偏置MOS管的漏极与所述P型输出MOS管的栅极连接，源极与所述N型输出MOS管的栅极连接；
所述第二N型偏置MOS管的栅极作为AB类放大器的第二输入端，所述第二N型偏置MOS管的漏极分别与所述第一N型偏置MOS管的源极、所述第一P型偏置MOS管的漏极和所述N型输出MOS管的栅极连接，所述第二N型偏置MOS管的源极接地；
N型限压MOS管的源极与所述第一N型偏置MOS管的漏极连接，N型限压MOS管与所述第二P型偏置MOS管共漏极；
P型限压MOS管与所述第二N型偏置MOS管共漏极，P型限压MOS管的源极与所述第一P型偏置MOS管的漏极连接。
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