[实用新型]一种水下隔离充电装置

权利要求书

1.一种水下隔离充电装置，其特征在于，母座水密外壳（4）的四角设有安装固定孔（2），用于母座的固定，交流变直流电路板（5）和母座漆包线圈（7）用母座灌封胶（3）灌封为一体，具有良好的水密特性，母座漆包线圈（7）均匀缠绕在母座水密内壳（8）上，母座漆包线圈（7）的进线端和出线端分别接在交流变直流电路板（5）的输入侧，直流12V输出正极（1）和直流12V输出负极（6）分别接在交流变直流电路板（5）的输出侧，直流12V输出正极（1）和直流12V输出负极（6）的两引出导线均被母座灌封胶（3）密封，公头水密外壳（9）和普通开关电源和12V蓄电池的输出端连接，直流变交流电路板（12）、公头漆包线圈（11）和公头内部导磁硅钢片（14）用公头灌封胶（10）灌封为一体，具有良好的水密特性，公头漆包线圈（11）均匀缠绕在公头内部导磁硅钢片（14）上，公头漆包线圈（11）的进线端和出线端分别接在直流变交流电路板（12）的输出侧，供电导线（13）接到直流变交流电路板（12）的输入侧，供电导线（13）的接口部分被公头灌封胶（10）密封。

2.根据权利要求1所述的一种水下隔离充电装置，其特征在于，供电导线（13）处提供12V直流电，经过直流变交流电路板（12）后输出交流12V，交流12V电连接到公头漆包线圈（11）的输入输出侧，12V交变电流在公头漆包线圈（11）内往复运动使公头漆包线圈（11）产生固定频率的变化磁场，变化的磁场顺着公头内部导磁硅钢片（14）导磁，并作用在母座漆包线圈（7）上，通过磁感应原理母座漆包线圈（7）上产生交变电流，公头漆包线圈（11）和母座漆包线圈（7）的线圈匝数相同，线径也相同，从而在母座漆包线圈（7）上产生12V左右的交变电流，母座漆包线圈（7）上产生的12V交流电经过交流变直流电路板（5）整流滤波后变成直流电，通过直流12V输出正极（1）和直流12V输出负极（6）给水下用电设备供电。

3.根据权利要求1所述的一种水下隔离充电装置，其特征在于，所述直流变交流电路板（12）的直流变交流电路图中，集成芯片4069D电路部分主要产生交变控制信号，通过电阻R1、R2、R3、电容C1和4069D的IC1F、IC1E部分构成了方波信号发生器，方波的频率由C1的容值来决定，在电阻R4的输出端即为方波信号，幅度为0～5V，方波信号作用到三极管T1的基极上，使得T1的集电极用相同频率的方波，幅度为0～12V，P沟道mos管Q1的栅极和三极管T1的集电极连接，N沟道mos管Q2的栅极也和三极管T1的集电极连接，当T1的集电极为低电平时，P沟道mos管Q1导通，N沟道mos管Q2截止，AC1处输出正向电压，当T1的集电极为高电平时，P沟道mos管Q1截止，N沟道mos管Q2导通，AC1接入负极，方波信号通过4069D的IC1B变成了反向方波，作用在三极管T2的基极上，幅度为0～5V，三极管T2的集电极上也产生了幅度为0～12V的方波，当三极管T2的集电极为低电平时，P沟道mos管Q3导通，N沟道mos管Q4截止，AC2处输出正向电压，当三极管T2的集电极为高电平时，P沟道mos管Q3截止，N沟道mos管Q4导通，AC1接入负极，当4069D的2脚输出高电平时，AC1为正，AC2为负，当4069D的2脚输出低电平时，AC1为负，AC2为正，从而实现了12V直流变12V交流，其中R6、R7为上拉电阻，L1、L2、L3、L4为磁珠，把大电流端的杂波信号和方波发生器的供电端隔离，F1为10A保险丝，IC2为5V稳压芯片，通过12V变成5V给芯片4069D供电，C2、C3、C4电容为电源滤波电容，4069D的IC1C和IC1D闲置不用。

4.根据权利要求1所述的一种水下隔离充电装置，其特征在于，所述交流变直流电路板（5）的交流变直流电路图中，母座漆包线圈（7）出来的感应交流电接在接线端子AC12V上，通过整流桥B1后输出直流12V，在经过电容C5、C6、C7、C8和电感L5滤波变成稳定的12V直流电供水下设备使用。