[实用新型]LVDT位移传感器有效
| 申请号： | 201821723496.5 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN208780117U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 彭春文;袁克峰;刘妍;李永清;张建;马超;梁永胜;胡竞;高跃;纪晓雪;羿利红;芦越栋;牟丹;李广恒;毕海阔 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 郭元艺 |
| 地址： | 110043 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 次级线圈 本实用新型 可移动铁芯 初级线圈 环境温度影响 传感器领域 反向串接 灵敏度 体内 | ||
【权利要求书】：
1.LVDT位移传感器，其特征在于，包括外壳（2）、骨架（1）、初级线圈（3）、第一次级线圈（401）、第二次级线圈（402）及可移动铁芯（5）；所述第一次级线圈（401）、初级线圈（3）及第二次级线圈（402）依次设于骨架（1）上；所述可移动铁芯（5）置于骨架（1）的中部腔体内；所述第一次级线圈（401）与第二次级线圈（402）反向串接。
2.根据权利要求1所述的LVDT位移传感器，其特征在于：在所述初级线圈（3）、第一次级线圈（401）及第二次级线圈（402）上依次再设置初级补偿线圈（3-1）、第一次级补偿线圈（401-1）及第二次级补偿线圈（402-1）。
3.根据权利要求1所述的LVDT位移传感器，其特征在于：在所述第一次级线圈（401）及第二次级线圈（402）的端部设有温度补偿模块；所述温度补偿模块采用二极管IN4148补偿元件。
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