[实用新型]一种同频双芯片集成电路IC卡

说明书

本实用新型涉及一种同频双芯片集成电路IC卡，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，第一芯片位于第一面层与抗干扰结构之间，第二芯片位于第二面层与抗干扰结构之间。本实用新型通过在第一芯片与第二芯片之间设置防干扰结构，该防干扰结构包括金属层、第一抗金属干扰层3以及第二抗金属干扰层，利用金属层隔开第一芯片与第二芯片，且在第一芯片与金属层之间设置第一抗金属干扰层，在第二芯片与金属层之间设置第二抗金属干扰层，既将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，又可以使得第一芯片和第二芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰，还可以阻断金属层对第一芯片和第二芯片的干扰，提高第一芯片和第二芯片使用时的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及IC卡，更具体地说是指一种同频双芯片集成电路IC卡。

背景技术

随着一卡多用的需求不断增长，经常需要在同一张卡上封装有两个同样频率但不同芯片的集成电路卡，以满足不同领域的使用需求，比如需要把NFC芯片和其他的一卡通芯片放在同一张卡上，这样既可以满足身份识别，日常消费之需，同时又能满足移动支付需求。

但目前无法实现在同一张卡上集成同频双芯片，比如NFC芯片和一卡通芯片所需的射频天线频率均为13.56MHZ，如果把这两种芯片天线放在一张卡上，在进行消费使用时，两个天线同时接收到消费设备终端的无线信号，这两个同频信号相互干扰，使芯片和设备之间数据无法正常交互。

因此，有必要设计一种新的卡，实现将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，且两个芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种同频双芯片集成电路IC卡。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种同频双芯片集成电路IC卡，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，所述第一芯片位于所述第一面层与所述抗干扰结构之间，所述第二芯片位于所述第二面层与所述抗干扰结构之间。

其进一步技术方案为：所述抗干扰结构包括金属层。

其进一步技术方案为：所述抗干扰结构还包括第一抗金属干扰层以及第二抗金属干扰层，所述第一抗金属干扰层位于所述金属层与所述第一芯片之间，所述第二抗金属干扰层位于所述金属层与所述第二芯片之间。

其进一步技术方案为：所述金属层的材料为铝箔。

其进一步技术方案为：所述第一芯片为NFC芯片。

其进一步技术方案为：所述第二芯片为一卡通芯片。

其进一步技术方案为：所述第一抗金属干扰层为铁氧体片。

其进一步技术方案为：所述第二抗金属干扰层为铁氧体片。

本实用新型与现有技术相比的有益效果是：本实用新型通过在第一芯片与第二芯片之间设置防干扰结构，该防干扰结构包括金属层、第一抗金属干扰层以及第二抗金属干扰层，利用金属层隔开第一芯片与第二芯片，且在第一芯片与金属层之间设置第一抗金属干扰层，在第二芯片与金属层之间设置第二抗金属干扰层，既将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，又可以使得第一芯片和第二芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰，还可以阻断金属层对第一芯片和第二芯片的干扰，提高第一芯片和第二芯片使用时的稳定性。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步描述。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型具体实施例提供的一种同频双芯片集成电路IC卡的爆炸结构示意图。