[实用新型]一种应用于变频器上的IGBT散热器

说明书

本实用新型公开了一种应用于变频器上的IGBT散热器，包括散热器本体和散热部件，所述散热器本体包括置件部件和连接部件，所述散热器本体为凸型结构，所述置件部件的两边与所述连接部件相连接，所述散热部件位于所述置件部件的下部并与所述置件部件相连接。通过上述方式，本实用新型应用于变频器上的IGBT散热器，能够实现对IGBT的快速和实时降温，确保变频器的有效正常运行，结构简单，容易获得，成本低，散热效果好。

技术领域

本发明涉及变频技术领域，特别是涉及一种应用于变频器上的IGBT散热器。

背景技术

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT在使用过程中发热量大，造成变频器高温，会影响变频器的使用。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种应用于变频器上的IGBT散热器，使用效果好。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种应用于变频器上的IGBT散热器，包括散热器本体和散热部件，所述散热器本体包括置件部件和连接部件，所述散热器本体为凸型结构，所述置件部件的两边与所述连接部件相连接，所述散热部件位于所述置件部件的下部并与所述置件部件相连接。

在本发明一个较佳实施例中，所述置件部件为长方体结构或正方体结构，IGBT置于所述置件部件上。

在本发明一个较佳实施例中，所述置件部件和所述连接部件一体成型而成。

在本发明一个较佳实施例中，所述连接部件为L型结构。

在本发明一个较佳实施例中，所述散热部件与所述置物部件是通过焊接连接的。

在本发明一个较佳实施例中，所述散热部件为圆柱形结构或长方体结构。

在本发明一个较佳实施例中，所述应用于变频器上的IGBT散热器还包括置液部件，所述散热部件伸入到所述置液部件中。

在本发明一个较佳实施例中，所述应用于变频器上的IGBT散热器还包括氮化铝基板，所述氮化铝基板铺设于所述置件部件上。

在本发明一个较佳实施例中，所述应用于变频器上的IGBT散热器还包括导热硅胶，所述导热硅胶填充于IGBT和所述氮化铝基板之间。

在本发明一个较佳实施例中，所述应用于变频器上的IGBT散热器还包括通孔和螺丝，所述通孔位于所述连接部件上，所述螺丝伸入所述通孔中固定。

本发明的有益效果是：本发明的应用于变频器上的IGBT散热器，能够实现对IGBT的快速和实时降温，确保变频器的有效正常运行，结构简单，容易获得，成本低，散热效果好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1是本发明的应用于变频器上的IGBT散热器一较佳实施例的结构示意图；

图2是图1所述应用于变频器上的IGBT散热器的主视图；

图3是图1所述应用于变频器上的IGBT散热器的仰视图。

具体实施方式