[实用新型]一种单晶炉漏硅检测装置有效
| 申请号： | 201821702084.3 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN209292514U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 武高峰;周锐;李侨;徐战军;赵会刚;张伟建;赵阳;刘永生;张永辉 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶炉 温度判断装置 温度感应器 检测装置 本实用新型 信号输出端 信号输入端 报警装置 信号连接 底板 单晶硅 炉体结构 热场结构 一端设置 坩埚托杆 测温点 炉体腔 硅液 泄漏 体内 穿过 检测 延伸 申请 制造 | ||
1.一种单晶炉漏硅检测装置，单晶炉上设置有坩埚托杆，其特征在于，所述单晶炉漏硅检测装置包括温度判断装置、报警装置和至少一个温度感应器，至少一个所述温度感应器的信号输出端与温度判断装置的信号输入端信号连接，所述温度判断装置的信号输出端与报警装置的信号输入端信号连接，所述坩埚托杆穿过单晶炉的底板向外延伸的一端设置有一个温度感应器。
2.按照权利要求1所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，所述坩埚托杆位于所述单晶炉外的部分套设有波纹管，所述温度感应器设置于所述坩埚托杆或波纹管远离单晶炉的一端。
3.按照权利要求2所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，所述温度判断装置的温度报警值设定为T1，40≦T1≦60℃。
4.按照权利要求1或2所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，单晶炉底板上设置有至少一个排气管，至少一个所述排气管穿过单晶炉底板上的排气孔向外延伸的一端设置有温度感应器。
5.按照权利要求4所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，至少一个所述排气管穿过所述排气孔后向任意方向拐弯，所述温度感应器设置于所述排气管拐弯处。
6.按照权利要求5中所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，相对于坩埚托杆的中心轴线，位于坩埚托杆中心轴线左侧的左排气管向左拐弯，所述温度感应器设置于左排气管的左拐弯处相对于排气孔中心轴线远离左侧的一侧。
7.按照权利要求6所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，相对于坩埚托杆的中心轴线，位于坩埚托杆中心轴线右侧的右排气管向右拐弯，所述温度感应器设置于右排气管的右拐弯处相对于排气孔中心轴线远离右侧的一侧。
8.按照权利要求7所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，所述温度感应器为热电偶，所述温度判断装置为多通道温度测量仪或PLC测温模块，所述热电偶与所述多通道温度测量仪或PLC测温模块的不同通道信号连接。
9.按照权利要求8所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，所述温度判断装置中，与设置于所述坩埚托杆或波纹管的温度感应器对应的通道内温度报警值设定为T1，40≦T1≦60℃；在坩埚托杆的轴线方向上，至少一个所述排气管的拐弯处相较于坩埚托杆位于炉外的端部更远离单晶炉的底板；所述温度判断装置中，与设置于至少一个排气管拐弯处的温度感应器相对应的通道内温度报警值设定为T2，200≦T2≦300℃。
10.按照权利要求1所述的单晶炉漏硅检测装置，其特征在于，还包括PLC控制系统，所述PLC控制系统信号连接于所述温度判断装置与报警装置之间，所述PLC控制系统包括触摸屏，显示报警信息。
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