[实用新型]具有表面图形化分气盘的进气扩散系统及其分气盘结构有效
申请号: | 201821683512.2 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN208970484U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 林志隆;陈俊龙 | 申请(专利权)人: | 聚昌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 分气盘 表面图形 扩散系统 进气 气盘 反应生成物 反应腔体 进气流道 进气腔体 提升设备 图形结构 制造过程 出气 粗糙化 进气流 进气腔 掉落 晶圆 良率 凸状 体内 清洁 | ||
本新型提供一种具有表面图形化分气盘的进气扩散系统,其包括:进气腔体,其具有进气流道;以及分气盘,形成于进气腔体内并位于进气流道上,分气盘其出气侧的表面上,形成有凹及/或凸状的粗糙化图形结构。借由本新型的实施,可以达成避免分气盘上的反应生成物掉落影响晶圆制造过程良率及增加反应腔体清洁的周期以提升设备利用率。
技术领域
本新型为一种具有表面图形化分气盘的进气扩散系统,特别为一种应用于半导体制造过程蚀刻机的具有表面图形化分气盘的进气扩散系统。
背景技术
集成电路的制造过程主要以晶圆为基本材料,经过表面氧化膜的形成和感光剂的涂布后,结合光罩进行曝光、显像,使晶圆上形成各类型的电路,再经蚀刻、光阻液的去除及不纯物的添加后,进行金属蒸发,使各元件的线路及电极得以形成,最后进行晶圆探针检测;然后切割成晶片,再经粘着、连线及包装等组配工程而成电子产品。
一般蚀刻制造过程都是以蚀刻机进行及完成,蚀刻时,输入的载气会经由分气盘进行反应腔室,但随着反应时间的累积,分气盘上会逐渐附着反应生成物,当累积过多反应生成物时,经常会发生反应生成物掉落,因而影响晶圆制造过程的良率;此外,为了避免生成物掉落,因此必须经常性的进行清洗作业,也因此影响到设备的利用率。
发明内容
本新型为一种具有表面图形化分气盘的进气扩散系统,其主要是要解决分气盘表面做硬阳处理,表面生成物易整片掉落污染晶圆的问题。
本新型提供一种具有表面图形化分气盘的进气扩散系统,其包括:进气腔体,其为半导体蚀刻机的进气腔体且具有进气流道;以及分气盘,形成于进气腔体内并位于进气流道上,分气盘具有多个通气孔,又分气盘其出气侧的表面上,形成有凹及/或凸状的粗糙化图形结构。
前述的进气扩散系统,其中该粗糙化图形结构是由多个三角形结构所排列形成。
前述的进气扩散系统,其中该粗糙化图形结构是由多个半球形结构所排列形成。
前述的进气扩散系统,其中该粗糙化图形结构是由多个垂直壁体结构所排列形成。
前述的进气扩散系统,其中该粗糙化图形结构的粗糙度是大于或等于1微米。
本新型又提供一种具有表面图形化的分气盘结构,其形成于半导体蚀刻机的进气腔体内并位于进气流道上,分气盘具有多个通气孔,又分气盘其出气侧的表面上,形成有凹及/或凸状的粗糙化图形结构。
前述的分气盘结构,其中该粗糙化图形结构是由多个三角形结构所排列形成。
前述的分气盘结构,其中该粗糙化图形结构是由多个半球形结构所排列形成。
前述的分气盘结构,其中该粗糙化图形结构是由多个垂直壁体结构所排列形成。
前述的分气盘结构,其中该粗糙化图形结构的粗糙度是大于或等于1微米。
借由本新型的实施,至少可以达成下列的进步功效:
一、可以增加分气盘对反应生成物的附着能力。
二、可以避免分气盘上的反应生成物掉落影响晶圆制造过程良率。
三、可以增加反应腔体清洁的周期,进而提升设备利用率。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能更清楚了解本实用新型的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1为本新型的一种具有表面图形化分气盘的进气扩散系统立体分解图。
图2为本新型的一种具有表面图形化分气盘的进气扩散系统立体结合图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚昌科技股份有限公司,未经聚昌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821683512.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造