[实用新型]一种不规则半导体材料破碎装置有效

专利信息
申请号: 201821682891.3 申请日: 2018-10-17
公开(公告)号: CN208960087U 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 杨子义;周鸿武;张子砚;刘涛 申请(专利权)人: 贵阳学院
主分类号: B02C19/18 分类号: B02C19/18
代理公司: 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 代理人: 徐康
地址: 550000 贵州*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 罩体 滑套 半导体材料 破碎装置 不规则 下端 破碎 丝杠螺母 外部设置 长度方向设置 螺母 本实用新型 固定连接丝 固定设置 矩形结构 配合安装 轴线平行 安装盘 冲击波 上端 开口 引入
【说明书】:

本实用新型公开了一种不规则半导体材料破碎装置,包括罩体,所述罩体为矩形结构,且罩体的下端设置开口,所述罩体的上部上端沿长度方向设置两根X轴光杆,且X轴光杆外部设置滑套,且滑套下端沿罩体的宽度方向设置两根Y轴光杆,所述Y轴光杆的外部设置滑套,且Y轴光杆的滑套下端固定设置安装盘,且两根Y轴光杆的上方固定连接丝杠螺母,所述丝杠螺母的轴线与X轴光杆的轴线平行,所述Y轴光杆的上方的丝杠螺母与X轴丝杠配合安装,本不规则半导体材料破碎装置采用冲击波的高能进行破碎,避免传统破碎方式造成的杂质引入,而且破碎效率高。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工设备技术领域,具体为一种不规则半导体材料破碎装置。

背景技术

用于制造半导体设备的硅晶元通常使用如下方法制成:通过西门子法生成多晶硅块,将多晶硅块破碎成小块,然后以破碎得到的硅碎片作为原材料,采用直拉单晶制造法(Czochralski,CZ法)生成圆柱形的单晶硅块,对单晶硅块切断研磨制成硅晶元。

在将多晶硅块进行破碎时,目前常用的方法是人工使用锤子或采用颚式破碎机进行敲打破碎,这一破碎方法容易引进杂质污染高纯度的多晶硅,且破碎效率较低。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供一种不规则半导体材料破碎装置,采用冲击波的高能进行破碎,避免传统破碎方式造成的杂质引入,而且破碎效率高,可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种不规则半导体材料破碎装置,包括罩体,所述罩体为矩形结构,且罩体的下端设置开口,所述罩体的上部上端沿长度方向设置两根X轴光杆,且X轴光杆外部设置滑套,且滑套下端沿罩体的宽度方向设置两根Y轴光杆,所述Y轴光杆的外部设置滑套,且Y轴光杆的滑套下端固定设置安装盘,且两根Y轴光杆的上方固定连接丝杠螺母,所述丝杠螺母的轴线与X轴光杆的轴线平行,所述Y轴光杆的上方的丝杠螺母与X轴丝杠配合安装,且X轴丝杠的两端分别通过轴承副与罩体内部的安装座配合安装,且X轴丝杠的轴端与电机一的输出轴连接,所述安装盘上方设置丝杠螺母,所述安装盘上方的丝杠螺母轴线与Y轴光杆的轴线平行,且安装盘上方的丝杠螺母与Y轴丝杠配合安装,所述Y轴丝杠的端部与电机二的输出轴连接,所述电机二通过安装架与X轴光杆外部的滑套固定安装;

所述安装盘为圆形盘状结构,且安装盘的下表面外边缘均匀设置三个球形铰链安装座,且铰链安装座内部通过球形铰链配合安装电动伸缩杆一,且三根电动伸缩杆一的下端通过球形铰链与冲击波发生器的上端连接,所述电机一、电机二、电动伸缩杆一和冲击波发生器的输入端与单片机的输出端电连接,所述单片机的输入端与外置电源的输出端电连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述罩体的内部下端开口处设置升降台,所述升降台表面均匀设置滚轴,所述滚轴上方设置托盘。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述升降台下端垂直设置电动伸缩杆二,所述电动伸缩杆二的下端与地面基座固定安装,且电动伸缩杆二的输入端与单片机的输出端电连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述升降台两侧的罩体下方分别设置工作台,所述工作台的上表面设置滚轴型输送机,所述滚轴型输送机的输入端与单片机的输出端电连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述冲击波发生器为压电式冲击波发生器,且冲击波发生器的下端为半球形。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述冲击波发生器的外部套装环形的喷头,所述喷头为耐低温喷头,且喷头通过软管与液氮钢瓶连接,所述液氮钢瓶固定安装在罩体外部。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述喷头与液氮钢瓶的管道内部串接电磁阀,所述电磁阀的输入端与单片机的输出端电连接,且液氮钢瓶外部设置压力表。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述罩体的内壁固定粘贴隔绝垫,所述隔绝垫为表面带有不规则凸起的泡沫垫。

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