[实用新型]硅基太阳能电池及光伏组件有效

专利信息
申请号: 201821681716.2 申请日: 2018-10-17
公开(公告)号: CN209232797U 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 陈孝业;蒋秀林 申请(专利权)人: 晶澳太阳能有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/042
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波
地址: 055550 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 硅基太阳能电池 掺杂硅层 减反射层 钝化层 隧穿 发射极层 光伏组件 正面电极 太阳能电池技术 光电转换效率 本实用新型 第V族元素 钝化效果 基体正面 局部区域 欧姆接触 掺杂的 穿过 吸收 保证
【说明书】:

实用新型公开了一种硅基太阳能电池及光伏组件,属于太阳能电池技术领域。该硅基太阳能电池包括:P型晶体硅基体,设置在所述P型晶体硅基体正面的发射极层,设置在所述发射极层上的正面隧穿钝化层,设置在所述正面隧穿钝化层局部区域上的第V族元素掺杂的正面掺杂硅层,设置在所述正面掺杂硅层以及所述正面隧穿钝化层未设置所述正面掺杂硅层的区域上的减反射层,以及,设置在所述减反射层上的正面电极;其中,所述正面电极穿过所述减反射层与所述正面掺杂硅层欧姆接触。该硅基太阳能电池壳在保证钝化效果的前提下,减少掺杂硅层对光线的吸收,有利于提高硅基太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种硅基太阳能电池及光伏组件。

背景技术

光伏发电,即直接将太阳能转化为电能,是一种清洁、可持续性和性价比相对较高的发电方式。硅基太阳能电池是光伏发电系统的重要组成部分,硅基太阳能电池的光电转换效率对光伏发电的输出功率及度电成本有重要影响。硅基太阳能电池的光电转换性能依赖于其内部少数载流子浓度,少数载流子的复合湮灭会造成太阳能电池电压和电流的流失,从而降低电池的光电转换效率。在晶体硅基体表面存在很多缺陷,是很严重的复合中心。在晶体硅基体表面和金属电极之间设置钝化结构以钝化硅片表面,能够降低晶体硅基体表面少数载流子的复合概率,有利于提高太阳能电池的光电转化效率。

相关技术中提供了一种硅基太阳能电池的钝化结构,包括设置在晶体硅基体表面的隧穿钝化层,以及设置在隧穿钝化层上的掺杂硅层,电极则与掺杂硅层欧姆接触。

然而,掺杂硅层对入射光线的吸收比较严重,影响硅基太阳能电池的光电转换效率。

实用新型内容

基于以上所述,本实用新型实施例提供了一种硅基太阳能电池,能够减少入射光线的吸收,提高硅基太阳能电池的光电转换效率,本实用新型实施例还提供了应用该硅基太阳能电池的光伏组件。

具体而言,包括以下的技术方案:

第一方面,本实用新型实施例提供了一种硅基太阳能电池,所述硅基太阳能电池包括:

P型晶体硅基体,

设置在所述P型晶体硅基体正面的发射极层,

设置在所述发射极层上的正面隧穿钝化层,

设置在所述正面隧穿钝化层局部区域上的第V族元素掺杂的正面掺杂硅层,

设置在所述正面掺杂硅层以及所述正面隧穿钝化层未设置所述正面掺杂硅层的区域上的减反射层,以及,

设置在所述减反射层上的正面电极;

其中,所述正面电极穿过所述减反射层与所述正面掺杂硅层欧姆接触。

在一个可能的实施方式中,所述正面掺杂硅层与所述正面电极的图案对应。

在另一个可能的实施方式中,所述正面隧穿钝化层选自氧化硅层、氮氧化硅层、以及氢化非晶氧化硅层中的至少一种。

在另一个可能的实施方式中,所述正面掺杂硅层为掺杂多晶硅层或者掺杂多晶硅/氧化硅混合层。

在另一个可能的实施方式中,所述正面掺杂硅层中第V族元素掺杂浓度为5×1018atoms/cm3~9×1020atoms/cm3

在另一个可能的实施方式中,所述减反射层选自氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、以及碳化硅层中的至少一种。

在另一个可能的实施方式中,所述硅基太阳能电池还包括:设置在所述P型晶体硅基体背面的氧化铝层,设置在所述氧化铝层上的覆盖层,以及设置在所述覆盖层上的背面电极;其中,所述背面电极穿过所述覆盖层和所述氧化铝层与所述P型晶体硅基体欧姆接触。

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