[实用新型]一种生长碳化硅单晶的装置有效
| 申请号： | 201821676275.7 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN209144309U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 高超;李加林;李宏刚 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 热场 生长 轴向温度梯度 保温结构 石墨坩埚 杂质元素 氮元素 电活性 制造 径向均匀分布 温度分布均匀 大尺寸石墨 径向电阻率 径向分布 温度分布 温度梯度 装置制备 半绝缘 保温孔 传统的 散热 壁厚 衬底 单晶 高纯 碳化 坩埚 制备 申请 | ||
1.一种生长碳化硅单晶的装置，包括石墨坩埚、加热单元、籽晶单元和保温结构，其特征在于，该保温结构包括保温结构顶部、保温结构侧部和保温结构底部，该石墨坩埚的内壁为大致圆柱状，该石墨坩埚的侧壁沿着石墨坩埚底部至开口方向线性加厚。
2.根据权利要求1所述的生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，该石墨坩埚位于该保温结构的密闭腔体内。
3.根据权利要求1所述的生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，该保温结构侧部的壁部沿着石墨坩埚开口至底部方向线性加厚。
4.根据权利要求1所述的生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，该石墨坩埚的开口截面至其上方的保温结构顶部内表面具有第一距离，该第一距离沿着石墨坩埚中心至石墨坩埚边缘的方向增大。
5.根据权利要求1所述的生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述加热单元对石墨坩埚为感应加热方式。
6.根据权利要求1所述的生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，该石墨坩埚与该保温结构共第一中心轴线；
该第一中心轴线与该石墨坩埚的侧壁内表面和/或该保温结构侧部外表面平行；
该第一中心轴线与该石墨坩埚的侧壁外表面具有第一夹角，该第一中心轴线与该保温结构的侧部内表面具有第二夹角，该第一夹角和第二夹角的值为5～30°。
7.根据权利要求4所述的生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，该第一距离的变化值为5-50mm。
8.根据权利要求1所述的生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，该保温结构的外表面为圆柱体，该保温结构顶部不具有开口；该保温结构底部的内表面大致为圆柱状；沿着该石墨坩埚底部至其开口方向，该保温结构侧部内表面沿着远离该石墨坩埚中心轴线的方向延伸；该保温结构顶部沿着石墨坩埚边缘至中心的方向增厚。
9.根据权利要求1所述的生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，该石墨坩埚的侧壁内表面为大致圆柱状，该石墨坩埚的外壁具有与该保温结构侧部内表面大致相同的延伸方向。
10.一种晶体生长装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的生长碳化硅单晶的装置。
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